近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。
期間,“平行論壇2:光電子器件及應(yīng)用”上,西安交通大學(xué)研究員李虞鋒帶來了“SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征”的主題報告,近場光學(xué)技術(shù),克服了傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡的衍射極限,可以實現(xiàn)超分辨率顯微觀測。報告分享了SNOM技術(shù)原理、技術(shù)特點與研究思路,空氣腔陣列圖案化藍寶石基板生長量子阱,半極性 (20-21)藍色和綠色量子阱,金屬等離子體增強型量子阱等研究進展。



報告指出,利用SNOM探究了空氣腔陣列結(jié)構(gòu)LED空間分辨的發(fā)光特性,研究發(fā)現(xiàn)空氣腔結(jié)構(gòu)改善了外延的晶體質(zhì)量、應(yīng)力以及光提取效率,從而導(dǎo)致空氣腔區(qū)域的IQE和EQE提高;空氣腔區(qū)域晶體質(zhì)量的改善提高了有效載流子濃度,導(dǎo)致大功率下空氣腔區(qū)域中與俄歇復(fù)合相關(guān)的非輻射復(fù)合增加,droop加劇;利用SNOM探究了(20-21)半極性雙波長LED的發(fā)光特性,研究發(fā)現(xiàn)TDs、SFs和幾乎無缺陷區(qū)域的周期性交替分布導(dǎo)致PL強度和應(yīng)力呈現(xiàn)周期性波動。
其中,幾乎無缺陷的區(qū)域B,PL強度最高,應(yīng)力最大,表現(xiàn)出最強的QCSE;綠光的峰值波長主要受In組分而不是QCSE的影響,而藍光的峰值波長主要由應(yīng)力導(dǎo)致的QCSE決定;綠光的半峰寬受缺陷的影響更為顯著,而藍光的半峰寬受QCSE的影響更為明顯。利用SNOM探究了LSP耦合增強雙波長藍光QWs的微觀特性,研究發(fā)現(xiàn):觀察到LSP耦合效應(yīng)隨耦合距離和激發(fā)功率變化逐漸演變的過程;隨耦合距離減小,效率droop加重,說明當(dāng)QWs自身的輻射復(fù)合較強時,LSP對效率droop產(chǎn)生的是負(fù)面影響。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:西安交通大學(xué)李虞鋒:SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征
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