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受蜘蛛網(wǎng)啟發(fā)的量子納米機(jī)械諧振器

虹科測試測量 ? 2023-07-31 22:24 ? 次閱讀
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量子技術(shù)是未來的科技解決方案,但其微小尺寸也導(dǎo)致更高的干擾敏感性。不過,相關(guān)研究團(tuán)隊(duì)找到了一種解決方法:仿生蜘蛛網(wǎng)!他們設(shè)計(jì)了一種蜘蛛網(wǎng)形狀的納米機(jī)械諧振器實(shí)現(xiàn)超低耗散,讓制造量子設(shè)備變得像在自家餐桌上測量一樣簡便。

而基于上述研究基礎(chǔ),虹科推出了多功能FPGA板卡STEMlab,助力量子設(shè)備制造。更多有關(guān)內(nèi)容,讓我們在本期一起探索吧!

01

量子發(fā)展的挑戰(zhàn)


量子技術(shù)一直在追求更快、更小、更精確的高科技解決方案。然而,系統(tǒng)中極小尺寸的組成使其更容易受到來自外部機(jī)械和其他干擾的影響。因此,業(yè)界通常會使用冷卻至接近絕對零度(-273.15°C)的低溫制冷來阻止熱噪聲進(jìn)入系統(tǒng)。不過這也同時(shí)帶來了新問題——該方法使用的設(shè)備常常笨重且耗電。

02

蜘蛛網(wǎng)的機(jī)械

奇跡:量子技術(shù)的新突破

但如果有一種方法可以通過機(jī)械隔離系統(tǒng)來避免熱運(yùn)動的干擾呢?這將減少或消除對低溫設(shè)施的需求,使量子設(shè)備的制造變得更簡單、更實(shí)惠。大多數(shù)先前的模型都是基于1D諧振模型,主要是因?yàn)樗鼈兿鄬唵蔚脑O(shè)計(jì)規(guī)則。機(jī)械隔離程度由Qm表示,即諧振器內(nèi)存儲的能量與一個(gè)振蕩周期內(nèi)耗散的能量之比。從量子技術(shù)的角度來看,這是納米機(jī)械諧振器在一個(gè)聲子(振動的量子)熱噪聲進(jìn)入并產(chǎn)生諧振器量子特性失真之前能夠進(jìn)行的平均相干振蕩次數(shù)。

為了優(yōu)化Qm比值,荷蘭代爾夫特理工大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在大自然的機(jī)械奇跡之一——蜘蛛網(wǎng)中尋找到了靈感。專家們一致認(rèn)為,除了其出色的結(jié)構(gòu)特性外,蜘蛛網(wǎng)還是卓越的振動傳感器。蜘蛛網(wǎng)可以讓蜘蛛察覺到網(wǎng)內(nèi)的運(yùn)動,但不能察覺到網(wǎng)外的運(yùn)動,這使其成為一個(gè)出色的機(jī)械隔離環(huán)境。

在此基礎(chǔ)上,研究團(tuán)隊(duì)使用貝葉斯優(yōu)化運(yùn)行了不同的仿真配置??紤]到由高應(yīng)力氮化硅制成的梁或線,其厚度可以薄到20納米(與蜘蛛網(wǎng)絲的毫米級厚度相比)。結(jié)果是在134.9千赫茲下獲得了超過17.5億的最優(yōu)品質(zhì)因子Qm,這是一個(gè)看似簡單的結(jié)構(gòu),如下圖所示。

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圖1

令人驚訝的是,這個(gè)品質(zhì)因子的實(shí)現(xiàn)并不需要比微米還小的系帶寬度,由此讓制造變得更快、更便宜。納米機(jī)械諧振器采用58納米厚的高應(yīng)力(1.07 GPa)Si3N4制造,通過低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)在硅襯底上進(jìn)行。

03

實(shí)驗(yàn)成果:制造低耗散

高QM設(shè)備的關(guān)鍵


為了驗(yàn)證性能并與仿真結(jié)果進(jìn)行比較,研究團(tuán)隊(duì)還設(shè)計(jì)了一個(gè)測試裝置,通過環(huán)形衰減測量來實(shí)驗(yàn)性地確定系統(tǒng)的品質(zhì)因子,其中諧振器的振幅衰減速率是能量耗散和機(jī)械品質(zhì)因子的指標(biāo)。所有這些都是在真空條件下進(jìn)行的,以避免氣體阻尼。下圖顯示了制造過程和機(jī)械特性測試裝置的示意圖。

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圖2

所有測量都是使用定制的平衡同相干檢測干涉儀進(jìn)行的。機(jī)械位移使用與光纖耦合的紅外激光(1550納米)進(jìn)行探測。將壓電板連接到樣品臺上,以實(shí)現(xiàn)對器件的機(jī)械驅(qū)動。局部振蕩器信號的相位由光纖拉伸器控制,由PID控制器驅(qū)動。虹科多功能FPGA板卡STEMlab 125-14執(zhí)行了這一功能,具有靈活的I/O配置。使用平衡光電探測器測量的信號作為反饋環(huán)路的誤差信號,穩(wěn)定了干涉儀的低頻波動。

綜上所述,通過基于仿真優(yōu)化的設(shè)計(jì)蜘蛛網(wǎng)形狀的納米機(jī)械諧振器,可以在室溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)超低耗散,從而制造出具有較小長寬比的高Qm設(shè)備,優(yōu)化制造過程。

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