EUV光刻市場預(yù)計(jì)在2023年的94億美元基礎(chǔ)上，到2028年將達(dá)到253億美元，復(fù)合年增長率為21.8%。

EUV光刻技術(shù)解決了傳統(tǒng)光刻技術(shù)在分辨率方面已經(jīng)達(dá)到物理極限的限制。EUV光的較短波長使得在硅晶圓上創(chuàng)造更小的特征和更緊密的圖案成為可能，從而實(shí)現(xiàn)具有更高晶體管密度的先進(jìn)微芯片制造。EUV光刻的關(guān)鍵組件是EUV光源，涉及產(chǎn)生和操控13.5納米高能光。這是通過使用激光從錫液滴中產(chǎn)生等離子體，從而發(fā)射EUV輻射來實(shí)現(xiàn)的。然后，EUV光通過一系列精密設(shè)計(jì)的鏡子反射和聚焦，將所需的圖案傳輸?shù)酵坑泄饷舨牧希ǚQ為光刻膠）的硅晶圓上。

EUV光刻相比以前的光刻技術(shù)具有幾個(gè)優(yōu)勢。首先，它允許芯片密度顯著增加，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大和復(fù)雜的集成電路。其次，通過減少圖案傳輸所需的步驟，簡化了制造過程，提高了生產(chǎn)效率。最后，EUV光刻使得對(duì)關(guān)鍵尺寸的控制更好，減少了圖案的變異性，從而提高了芯片性能和產(chǎn)量。EUV光刻在高性能計(jì)算、人工智能和移動(dòng)設(shè)備等各種應(yīng)用中對(duì)先進(jìn)集成電路的生產(chǎn)起著至關(guān)重要的作用。

在預(yù)測期內(nèi)，晶圓代工廠將以最高復(fù)合年增長率增長。

在商業(yè)領(lǐng)域，晶圓代工廠是一種專門的制造設(shè)施，為半導(dǎo)體公司和集成器件制造商（IDM）提供半導(dǎo)體制造服務(wù)。晶圓代工廠主要專注于半導(dǎo)體行業(yè)的制造工藝，不參與芯片設(shè)計(jì)。晶圓代工廠通過為芯片設(shè)計(jì)（稱為知識(shí)產(chǎn)權(quán)）提供制造服務(wù)與fabless公司和IDM合作。提供半導(dǎo)體制造服務(wù)，包括EUV光刻，的重要代工廠包括臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司、全球閃存公司、三星代工廠等。晶圓代工廠的增長可以歸因于它們在EUV光刻方面的重要投資，亞太地區(qū)國家在EUV光刻市場的擴(kuò)展和發(fā)展中起著重要作用。

預(yù)測期內(nèi)，EUV掩膜（EUV Mask）市場預(yù)計(jì)以第二高的復(fù)合年增長率增長。

EUV掩膜，也稱為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。EUV掩膜在半導(dǎo)體晶圓上集成電路的圖案制定中起著重要作用，其中包含了在光刻過程中投影到晶圓上的電路圖案。與舊有光刻技術(shù)使用的傳統(tǒng)光學(xué)掩膜不同，EUV掩膜專門設(shè)計(jì)

用于與波長約為13.5納米的紫外光一起使用。它們由薄基底涂覆多層反射材料制成，這些材料有助于將EUV光反射和聚焦到晶圓上，實(shí)現(xiàn)精密的高分辨率圖案。EUV掩膜的復(fù)雜制造過程涉及先進(jìn)的制造技術(shù)和嚴(yán)格的質(zhì)量控制措施，以確保電路圖案的準(zhǔn)確性和可靠性。許多公司涉足EUV掩膜和相關(guān)產(chǎn)品的制造，包括Toppan公司、KLA Corporation、ADVANTEST CORPORATION、AGC公司等。

亞太地區(qū)預(yù)計(jì)以最高復(fù)合年增長率增長。

亞太地區(qū)在EUV光刻領(lǐng)域具有重要意義。在考察該地區(qū)的EUV光刻市場時(shí)，中國大陸、日本、臺(tái)灣和韓國等地區(qū)處于前沿。臺(tái)灣在亞太地區(qū)占據(jù)最高的市場份額。