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首個(gè)Micro LED行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布!終結(jié)小間距LED發(fā)展亂象

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:吳子鵬 ? 2023-09-04 00:09 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)近日,利亞德、京東方、TCL、海信、艾比森、聯(lián)建光電等近二十家企業(yè)攜手,共同起草了《Micro LED顯示屏通用技術(shù)規(guī)范——中大尺寸顯示屏》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)(以下簡(jiǎn)稱“標(biāo)準(zhǔn)”)。值得注意的是,這是全球第一個(gè)針對(duì)Micro LED發(fā)布的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
此前,有設(shè)備廠商曾向電子發(fā)燒友網(wǎng)記者表示,現(xiàn)階段Micro LED的發(fā)展缺乏行業(yè)規(guī)范,很多客戶的需求描述為Micro LED,實(shí)際上是Mini LED,兩者之間在器件精度方面有明顯的差別,價(jià)格也差別較大。并且,還有一些企業(yè)將Micro LED和Mini LED統(tǒng)稱為小間距LED產(chǎn)品,這時(shí)候也需要做進(jìn)一步的溝通才能確定具體的設(shè)備需求。
Micro LED尺寸明確為1-100μm
Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode,中文稱作微發(fā)光二極體,也可以寫作μLED。Micro LED的實(shí)現(xiàn)是在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列,這便對(duì)LED器件尺寸提出了要求。
過往,對(duì)于Micro LED使用的LED芯片有三種尺寸定義,分別是50μm、60μm、100μm,不同的廠商會(huì)選擇不同的標(biāo)準(zhǔn)來定義自家的產(chǎn)品。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,Micro LED芯片尺寸要求長(zhǎng)寬任意一邊小于100μm。
從這方面來看,標(biāo)準(zhǔn)希望將Micro LED的準(zhǔn)入門檻盡可能地降低,以推動(dòng)產(chǎn)業(yè)更快地向Micro LED時(shí)代邁進(jìn)。P0.1(也就是100μm)這一特征分界點(diǎn)的明確,設(shè)備和LED芯片廠商將會(huì)有明確的目標(biāo)。
Micro LED應(yīng)為倒裝芯片、無焊接工藝
標(biāo)準(zhǔn)還要求,Micro LED芯片應(yīng)為倒裝芯片,應(yīng)采用無焊線工藝。
下圖是市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce在解讀Micro LED工藝是給出的示意圖??梢钥闯觯琈icro LED和傳統(tǒng)的LCD、OLED,在工藝上有著明顯的差異,僅包括基板、電極、RGB子像素和防眩暈保護(hù)膜四部分組成。
圖源:TrendForce
從技術(shù)實(shí)現(xiàn)上看,Micro LED是將LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化,然后將Micro LED批量式轉(zhuǎn)移至電路基板上,其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上,最后是通過沉淀工藝加上電極和保護(hù)膜。
當(dāng)然,在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上,Micro LED的工藝之爭(zhēng)比尺寸之爭(zhēng)更加激烈。這些工藝可以具體分化為晶圓形成、模版、蝕刻、模版去除、鍵合、組裝和測(cè)試。
和照明LED不同,Micro LED芯片在2A/cm2 以下工作區(qū)間里,主要是減少非輻射復(fù)合提升材料的質(zhì)量。這就導(dǎo)致,隨著LED芯片尺寸的縮小,芯片會(huì)向著大電流方向移動(dòng),且是右移。那么,為了克服這種工藝挑戰(zhàn),業(yè)界此前提出了兩種芯片工藝,一個(gè)是垂直結(jié)構(gòu),一個(gè)是倒裝結(jié)構(gòu)。
我們先看垂直結(jié)構(gòu),Micro LED垂直結(jié)構(gòu)是指兩個(gè)電極在LED結(jié)構(gòu)的異側(cè),以圖形化電極和p型GaN作為第二電極,使得電流全部垂直流過外延層。垂直結(jié)構(gòu)有兩個(gè)比較知名的工藝——高效垂直InGaN Micro LED和垂直結(jié)構(gòu)Micro LED在玻璃基板上的晶圓級(jí)集成,實(shí)現(xiàn)了10μm以下的LED芯片陣列,并大幅提高了光效。從工藝難度來說,垂直結(jié)構(gòu)對(duì)于LED芯片制造的要求更低,容易實(shí)現(xiàn)小尺寸LED芯片,但是對(duì)于剝離和轉(zhuǎn)移LED要求更高。從LED芯片制備之后,垂直結(jié)構(gòu)幾乎就沒有啥優(yōu)勢(shì)了,尤其是在LED陣列轉(zhuǎn)移之后,垂直結(jié)構(gòu)Micro LED并不是只需要鍵合就完成連接,還需要額外的工藝實(shí)現(xiàn)電性連接。
倒裝結(jié)構(gòu)Micro LED對(duì)于LED芯片制備有更高的要求,隨著LED芯片尺寸的縮小,倒裝結(jié)構(gòu)需要更復(fù)雜的設(shè)備。不過,倒裝結(jié)構(gòu)Micro LED和目前主流的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)更加貼合,能夠一次性實(shí)現(xiàn)大批量的LED芯片轉(zhuǎn)移,有著更高的產(chǎn)品一致性保證。并且,由于是倒裝結(jié)構(gòu),LED芯片轉(zhuǎn)移到基板之后,通過鍵合的方式一次性就完成了轉(zhuǎn)移和電性連接。
當(dāng)然,目前巨量轉(zhuǎn)移的量產(chǎn)設(shè)備還是比較少見的,相關(guān)設(shè)備需要滿足工藝、精度、良率、轉(zhuǎn)移速率、成本等綜合性能指標(biāo),由于LED芯片數(shù)量巨大,即便是3個(gè)9(99.9%)的良率也會(huì)帶來比較高昂的成本。
另外,標(biāo)準(zhǔn)第一次明確Micro LED顯示屏針對(duì)中大尺寸產(chǎn)品在分類、技術(shù)要求、質(zhì)量檢驗(yàn)規(guī)范、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存中的要求,為Micro LED產(chǎn)品的研發(fā)、制造、生產(chǎn)、銷售提供了標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)。
小結(jié)
根據(jù)glorbene wswire的報(bào)告,2028年全球Micro LED顯示器市場(chǎng)將達(dá)到約8億美元,2023年至2028年復(fù)合市場(chǎng)將增長(zhǎng)70.4%。很明顯,作為下一代顯示技術(shù),Micro LED仍然處于早期階段。相信隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布,行業(yè)的發(fā)力方向?qū)⒏右恢聟f(xié)同,后續(xù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度將提高到更高的水平。
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