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一種具有435 mV光電壓的n+p-型硅納米線光電陰極生產(chǎn)NADH

清新電源 ? 來源:楊培東院士團(tuán)隊(duì) ? 2023-09-05 10:06 ? 次閱讀
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成果簡(jiǎn)介

光陰極催化煙酰胺腺嘌呤二核苷酸(NAD+)轉(zhuǎn)化為1, 4-二氫煙酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)輔助因子是激活氧化還原生物催化劑和利用可再生太陽能進(jìn)行酶促合成的一個(gè)很有前途的平臺(tái),但許多光電陰極受到低光電壓的影響,因此需要高陰極偏置電壓來產(chǎn)生NADH?;诖?,加州大學(xué)伯克利分校楊培東院士等人報(bào)道了一種具有435 mV光電壓的n+p-型硅納米線(n+p-SiNW)光電陰極,以驅(qū)動(dòng)高能量-效率的生產(chǎn)NADH。

測(cè)試發(fā)現(xiàn),在n+/p界面處增強(qiáng)的能帶彎曲是高光電電壓的原因,有助于SiNW-基光電陰極生成NADH的基準(zhǔn)起始電位(0.393 VRHE)。在0.2 VRHE下,n+p-SiNW納米材料的法拉第效率(FE)為84.7%,轉(zhuǎn)化率為1.63 μmol h-1 cm-1,這是在SiNW-敏化輔因子生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)最大生產(chǎn)率的最低陰極電位。

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研究背景

在CO2還原光合生物雜交系統(tǒng)中,生物氧化還原分子(煙酰胺輔助因子等)在太陽能收集納米材料和細(xì)菌氧化還原酶之間起著氧化還原通訊的作用。然而,由于生物/非生物界面的復(fù)雜特征,電子從光活性納米材料轉(zhuǎn)移到全細(xì)胞生物催化機(jī)制的潛在途徑在很大程度上仍然不明確。通過分別從NAD+或NADP+構(gòu)建1, 4-二氫煙酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)或其磷酸化形式(NADPH)的光電化學(xué)(PEC)再生來解決。這是因?yàn)椋海?)NAD(P)H是關(guān)鍵的氧化還原輔助因子,為超過80%的氧化還原酶提供電子;(2)PEC平臺(tái)有助于分析與生物催化劑相關(guān)的氧化還原現(xiàn)象。

對(duì)于光陰極NADH再生,p-型SiNW(p-SiNW)是一種很有前途的能量納米材料,因?yàn)樗哂性S多PEC優(yōu)勢(shì):(1)通過光捕獲特性增強(qiáng)光子收集;(2)由于光激發(fā)電子的遷移長(zhǎng)度較短而具有更好的電荷分離效率;(3)低帶隙(~1.1 eV)導(dǎo)致廣泛的太陽吸收;(4)由于大的催化表面積,增加反應(yīng)周轉(zhuǎn)頻率。但是,硅光電陰極的能帶結(jié)構(gòu)工程尚未被研究,以獲得對(duì)低偏置NADH形成的見解。

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圖1. n+p-SiNW驅(qū)動(dòng)的光陰極生產(chǎn)NADH的示意圖

圖文導(dǎo)讀

通過圖案單晶硅片的深度反應(yīng)離子蝕刻法,作者制備了p-型硼摻雜SiNW。根據(jù)線性掃描伏安分析,在O2耗盡的磷酸鹽緩沖液中,在0.250 VRHE、Vph為292 mV時(shí),p-SiNW表現(xiàn)出將Mox還原為Mred的Eonset,p-SiNW的峰值電流約為0.212 V。通過在p-SiNW表面引入砷原子,在p-SiNW陣列上構(gòu)建了徑向n+p結(jié)。埋入的n+p界面誘導(dǎo)了一個(gè)內(nèi)置電場(chǎng),增強(qiáng)了光電陰極內(nèi)部光致載流子的分離。摻雜使Mox還原的Eonset增加了143 mV,歸因于n+pSiNW的Vph增加(435 mV)。

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圖2. SiNW-基催化劑催化[Cp*Rh(bpy)H2O]2+的光陰極還原

作者還研究了NAD+到NADH的光電陰極轉(zhuǎn)化。在缺O(jiān)2-磷酸鹽緩沖液(27 mL,100 mM,pH=7.2)中,在光陰極反應(yīng)需要Mox、光和電偏壓下,n+p-SiNW產(chǎn)生的NADH的FE為84.7%,轉(zhuǎn)化率為1.63 μmol h?1 cm?1。在0.2 V下,n+p-SiNW的FE和轉(zhuǎn)化率分別比p-SiNW高1.86倍和12.1倍,突出了在溫和陰極電位下高Vph對(duì)有效產(chǎn)生NADH的重要性。

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圖3. n+p-SiNW致敏的NAD+轉(zhuǎn)化為NADH

作者研究了外加電位對(duì)FEs和PEC轉(zhuǎn)化率的影響,發(fā)現(xiàn)在0.2 V時(shí)FEs和速率達(dá)到最大值。當(dāng)陰極電位高于0.2 V時(shí),F(xiàn)Es隨著陰極電位的增加而下降,歸因于Mred和n+p-SiNW驅(qū)動(dòng)的HER。Mred和n+p-SiNW在水環(huán)境下產(chǎn)生H2,并且隨著施加電位的降低,n+p-SiNW的HER動(dòng)力學(xué)變得更快。

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圖4.電壓對(duì)太陽能驅(qū)動(dòng)生產(chǎn)NADH的影響

在0.2 V和1太陽照射下,在富N2-磷酸鹽緩沖液(27 mL,100 mM和pH=7.2)中,觀察到NAD+向NADH的逐漸轉(zhuǎn)化持續(xù)了12 h,比報(bào)道的SiNW-基光電陰極的時(shí)間要長(zhǎng)。此外,光陰極反應(yīng)后n+p-SiNW的形貌變化可以忽略不計(jì),表明了納米材料的穩(wěn)定性。

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圖5.氨基酸修飾和硅烷化修飾的CsPbBr3@W-S-1復(fù)合材料






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:楊培東院士團(tuán)隊(duì),最新JACS!

文章出處:【微信號(hào):清新電源,微信公眾號(hào):清新電源】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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