RK3588 VDD_CPU_BIG0/1 電源PCB設(shè)計(jì)

1、如圖1所示的濾波電容，原理圖上靠近 RK3588的VDD_CPU_BIG電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如圖2所示。其余的去耦電容盡量擺放在3588芯片附近，而卻需要擺放在電源分割來(lái)源的路徑上。

圖1RK3588 芯片VDD_CPU_BIG0/1的原理圖電源管腳去耦電容

圖2 芯片 VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳背面去耦電容放置情況

2、RK3588芯片VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳，保證每個(gè)管腳邊上都有一個(gè)對(duì)應(yīng)的過(guò)孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如圖3所示，建議走線線寬10mil。

圖3RK3588 芯片 VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳扇出走線情況

3、VDD_CPU_BIG0/1覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳覆銅足夠?qū)?，路徑不能被過(guò)孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳路徑都足夠；

4、VDD_CPU_BIG的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過(guò)孔12 個(gè)及以上0.5*0.3mm的過(guò)孔，降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降；去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用；

5、VDD_CPU_BIG電流比較大需要雙層覆銅，VDD_CPU_BIG 電源在 CPU 區(qū)域線寬合計(jì)不得小于 300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?600mil，盡量采用覆銅方式，降低走線帶來(lái)壓降其它信號(hào)換層過(guò)孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅，如圖4所示。

圖4RK3588 芯片 VDD_CPU_BIG0/1電源層覆銅情況

4、電源平面會(huì)被過(guò)孔反焊盤(pán)破壞，PCB設(shè)計(jì)時(shí)注意調(diào)整其他信號(hào)過(guò)孔的位置，使得電源的有效寬度滿足要求。下圖 L1 為電源銅皮寬度 58mil，由于過(guò)孔的反焊盤(pán)會(huì)破壞銅皮，導(dǎo)致實(shí)際有效過(guò)流寬度僅為L(zhǎng)2+L3+L4=14.5mil，如圖5所示。

圖5 電源有效過(guò)流寬度示意圖

7、BIG0/1電源過(guò)孔40mil范圍(過(guò)孔中心到過(guò)孔中心間距)內(nèi)的GND過(guò)孔數(shù)量，建議≧12個(gè)，如圖6所示。

圖6 BIG0/1電源地過(guò)孔放置圖

2、BIG電源PDN目標(biāo)阻抗建議值如下表1所示和圖7所示：

表1 BIG電源PDN目標(biāo)阻抗建議值

圖7 BIG電源建議PDN要求