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可在125°C 環(huán)境下工作的汽車級I2C接口FeRAM

加賀富儀艾電子 ? 來源:未知 ? 2023-09-28 16:20 ? 次閱讀
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I2C 接口 512Kbit FeRAM

MB85RC512LY

加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司于近期宣布推出 I2C 接口 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY",這是富士通半導(dǎo)體汽車級 I2C 接口 FeRAM 產(chǎn)品中密度最高的一款。目前可提供評估樣品(圖1)。

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圖 1:MB85RC512LY 封裝

該產(chǎn)品可確保在 125°C 高溫條件下的低工作電流和 10 萬億次讀/寫循環(huán)時間。FeRAM 產(chǎn)品是工業(yè)機(jī)器人和汽車應(yīng)用(如高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS))的最佳選擇(圖 2)。使用 I2C 接口平臺的客戶在開發(fā)終端產(chǎn)品時,通過使用這種 FeRAM 存儲器部件,無需對設(shè)計進(jìn)行重大修改。

圖2:FeRAM使用示例

自2017年以來,富士通半導(dǎo)體一直在批量生產(chǎn)64Kbit至4Mbit汽車級FeRAM產(chǎn)品,這些產(chǎn)品可在高達(dá)125°C的環(huán)境中運(yùn)行,并帶有SPI接口。然而,對于已經(jīng)在 I2C 接口平臺上使用存儲器件的客戶來說,存在必須重新設(shè)計其最終產(chǎn)品接口的問題。在此背景下,富士通半導(dǎo)體一直在開發(fā) I2C 接口的 FeRAM 產(chǎn)品,并成功開發(fā)出了可在 1.8V 低電源電壓下工作的 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY"。

MB85RC512LY 是一款 512Kbit 非易失性存儲器件,可在 1.7V 至 1.95V 的低電源電壓下工作。它具有極低的工作電流,例如在 3.4MHz 工作頻率下最大電流為 0.4mA,并可在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)保證 10 萬億次讀/寫循環(huán)時間。這一特性非常適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如,即使每 0.03 毫秒重寫一次數(shù)據(jù),也能在同一地址記錄 10 年的數(shù)據(jù)。

新型 FeRAM 產(chǎn)品可以解決在使用存儲器產(chǎn)品時出現(xiàn)的以下問題(圖 3)。

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圖3:客戶的問題和解決方案

案例1

在系統(tǒng)中使用 I2C 接口傳統(tǒng)存儲器的客戶

問題:希望使用 FeRAM,但至今沒有 125°C 工作溫度的 I2C 接口產(chǎn)品

解決方案: 使用新型 FeRAM,無需更改系統(tǒng)中的接口設(shè)計。

案例2

客戶需要工作溫度為 125°C 的 512K 位存儲器

問題: 由于缺乏合適的密度,必須獲得比 512Kbit 更高密度的存儲器

解決方案: 使用具有精確密度的新型 FeRAM,無需購買高密度存儲器。

案例3

使用 125°C 工作溫度 EEPROM 的客戶

問題:由于寫入耐久性高達(dá) 100 萬次,設(shè)計受到限制。

解決方案: 使用讀/寫耐久性高達(dá) 10 萬億次的新型 FeRAM。

汽車級 FeRAM 系列有 3.3V 和 1.8V 兩種工作電壓,適用于 I2C 和 SPI 接口產(chǎn)品。隨著 MB85RC512LY 的推出,符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的 FeRAM 系列自去年以來又增加了 7 款新產(chǎn)品。此外,還有 4 款新型 1Mbit 產(chǎn)品正在開發(fā)中。(圖 4)

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圖4:汽車級FeRAM產(chǎn)品陣容

富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案公司認(rèn)為,由于客戶尋求的應(yīng)用多種多樣,因此所需的存儲器密度也需要多樣化。我們將繼續(xù)提供最佳的存儲器產(chǎn)品和解決方案,以提高客戶應(yīng)用的價值和便利性。

MB85RC512LY的主要規(guī)格

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關(guān)于富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司

富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司(原富士通半導(dǎo)體存儲事業(yè)部)成立于2020年3月,可為客戶提供存儲器產(chǎn)品和各種解決方案,主要是基于鐵電隨機(jī)存取存儲器(FeRAM),這是一種高質(zhì)量、高可靠性的非易失性存儲器。作為下一代存儲器,富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案已經(jīng)開始批量生產(chǎn)ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲器),它在讀取數(shù)據(jù)時需要更少的功率,是小型可穿戴設(shè)備的理想選擇,同時還在開發(fā)以碳納米管為材料的非易失性存儲器(NRAM)。更多詳情請訪問:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/feram/。

關(guān)于加賀富儀艾電子(上海)有限公司

加賀富儀艾電子(上海)有限公司原為富士通電子,其業(yè)務(wù)自2020年12月并入加賀集團(tuán),旨在為客戶提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)。在深圳、大連等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務(wù)。加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務(wù),專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs),鐵電隨機(jī)存儲器,繼電器,GaN(氮化鎵),MCU和電源功率器件,它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。更多詳情請訪問:https://www.kagafei.com.cn。

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原文標(biāo)題:可在125°C 環(huán)境下工作的汽車級I2C接口FeRAM

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