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詳細(xì)介紹數(shù)字IC設(shè)計的全流程內(nèi)容

冬至子 ? 來源:叩持電子 ? 作者:叩持電子 ? 2023-10-09 15:28 ? 次閱讀
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一顆芯片是如何造出來的,相信對行業(yè)稍有涉獵的同學(xué),都能簡單作答:即先通過fabless進(jìn)行設(shè)計,再交由Foundry進(jìn)行制造,最后由封測廠交出。

但這種程度僅僅是一個外行的基本認(rèn)知,如果要在入行IC進(jìn)行職業(yè)方向選擇或是在面試中被問到時,則需要更加專業(yè)的回答。

一、確定項目需求

1. 確定芯片的具體指標(biāo)

物理實現(xiàn):

制作工藝(代工廠及工藝尺寸);

裸片面積(DIE大小,DIE由功耗、成本、數(shù)字/模擬面積共同影響);

封裝(封裝越大,散熱越好,成本越高)。

性能指標(biāo):速度(時鐘頻率);功耗。

功能指標(biāo):功能描述;接口定義。

2. 系統(tǒng)級設(shè)計

用系統(tǒng)建模語言(高級語言 如matlab,c等)對各個模塊描述,為了對方案的可行性進(jìn)行驗證

二、前端流程

1. RTL 寄存器傳輸級設(shè)計

利用硬件描述語言,如verilog對電路以寄存器之間的傳輸為基礎(chǔ)進(jìn)行描述;

2. 功能驗證(動態(tài)驗證)

對設(shè)計的功能進(jìn)行仿真驗證,需要激勵驅(qū)動,是動態(tài)仿真。仿真驗證工具Mentor公司的 Modelsim, Synopsys的VCS,還有Cadence的NC-Verilog均可以對RTL級的代碼進(jìn)行設(shè)計驗證,該部分稱為前仿真,接下來邏輯部分綜合之后再一次進(jìn)行的仿真可稱為后仿真。

3. 邏輯綜合(Design Compile)

需要指定特定的綜合庫,添加約束文件;邏輯綜合得到門級網(wǎng)表(Netlist)。

4. 形式驗證(靜態(tài)驗證)

功能上進(jìn)行驗證,綜合后的網(wǎng)表進(jìn)行驗證。常用的就是等價性檢查方法,以功能驗證后的HDL設(shè)計為參考,對比綜合后的網(wǎng)表功能,他們是否在功能上存在等價性。

這樣做是為了保證在邏輯綜合過程中沒有改變原先HDL描述的電路功能。做等價性檢查用到Synopsys的Formality工具。

5. STA靜態(tài)時序分析

在時序上進(jìn)行分析,用到Synopsys的PT(Prime Time)工具,一般用在后端設(shè)計中,由版圖生成網(wǎng)表進(jìn)行STA更準(zhǔn)確一些;

STA滿足時序約束,得到最終的Netlist。

6. DFT(design for test)可測性設(shè)計

為了在芯片生產(chǎn)之后,測試芯片的良率,看制作有無缺陷,一般是在電路中插入掃描連(scan chain)

DFT是在得到Netlist之后,布局布線(Place and Route)之前進(jìn)行設(shè)計

三、后端流程

1. 布局布線(Place and Route)

布圖規(guī)劃floor plan

布圖規(guī)劃是整個后端流程中最重要的一步,但也是彈性最大的一步。因為沒有標(biāo)準(zhǔn)的最佳方案,但又有很多細(xì)節(jié)需要考量。

布局布線的目標(biāo):優(yōu)化芯片的面積,時序收斂,穩(wěn)定,方便走線。

工具:IC compiler,Encounter

布局(place)

布局即擺放標(biāo)準(zhǔn)單元,I/O pad,宏單元來實現(xiàn)個電路邏輯。

布局目標(biāo):利用率越高越好,總線長越短越好,時序越快越好。

但利用率越高,布線就越困難;總線長越長,時序就越慢。因此要做到以上三個參數(shù)的最佳平衡。

布線route

布線是指在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束條件下,根據(jù)電路的連接關(guān)系,將各單元和I/O pad用互連線連接起來。

2.時鐘樹綜合——CTS

Clock Tree Synthesis,時鐘樹綜合,簡單點說就是時鐘的布線。

由于時鐘信號在數(shù)字芯片的全局指揮作用,它的分布應(yīng)該是對稱式的連到各個寄存器單元,從而使時鐘從同一個時鐘源到達(dá)各個寄存器時,時鐘延遲差異最小。這也是為什么時鐘信號需要單獨(dú)布線的原因。

3. 寄生參數(shù)提?。‥xtrat RC)

由于導(dǎo)線本身存在的電阻,相鄰導(dǎo)線之間的互感,耦合電容在芯片內(nèi)部會產(chǎn)生信號噪聲,串?dāng)_和反射。這些效應(yīng)會產(chǎn)生信號完整性問題,導(dǎo)致信號電壓波動和變化,如果嚴(yán)重就會導(dǎo)致信號失真錯誤。提取寄生參數(shù)進(jìn)行再次的分析驗證,分析信號完整性問題是非常重要的。

4.STA

前面邏輯綜合后STA的話,用的是一個理想的時序模型(Timing Model)去做的,這個實際上并沒有實際的時序信息,實際cell擺在哪里,兩個cell之間的走線延時等信息都是沒有的,因為這個時候還沒有布局布線,兩個的位置都是不確定的,自然沒有這些信息。

當(dāng)位置確定之后,才會真正的去提取這些延時信息(Extrat RC),然后再做布局布線之后的STA,此時的STA相較于綜合時的STA,拿到的延時信息就是更真實的!包括時鐘,也是插了時鐘樹之后真正的時鐘走線,時鐘路徑的延時也是更真實的。如果布局布線之后還有不滿足時序的地方,也會退回去前面

5. 版圖物理驗證

這一環(huán)節(jié)是對完成布線的物理版圖進(jìn)行功能和時序上的驗證,大概包含以下方面:

LVS(Layout Vs Schematic)驗證:簡單說,就是版圖與邏輯綜合后的門級電路圖的對比驗證;

DRC(Design Rule Checking):設(shè)計規(guī)則檢查,檢查連線間距,連線寬度等是否滿足工藝要求;

ERC(Electrical Rule Checking):電氣規(guī)則檢查,檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例;

實際的后端流程還包括電路功耗分析,以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM可制造性設(shè)計)問題等。

6. 生成GDSII文件,Tap_off 流片

物理版圖以GDSII的文件格式交給芯片代工廠(稱為Foundry)在晶圓硅片上做出實際的電路。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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