開關(guān)穩(wěn)壓器的電感器下方是否應(yīng)接地？

這是另一個“取決于”問題，因為它與設(shè)計中使用的電感器類型、線圈方向以及電感器的漏磁是否大到足以產(chǎn)生噪聲問題有關(guān)。有不同類型的電感器具有不同的形狀因數(shù)，這些電感器可以在開關(guān)穩(wěn)壓器的開關(guān)操作期間在元件周圍產(chǎn)生不同的磁場分布。

盡管電感器及其磁性行為存在差異，但仍有一些通用原則可用于判斷在開關(guān)穩(wěn)壓器電路中電感器附近放置接地的效果。我們將在本文中介紹其中的一些原則。

電感器如何在開關(guān)穩(wěn)壓器中耦合噪聲

當(dāng)電感器在電壓調(diào)節(jié)器電路中以開關(guān)電流工作時，開關(guān)電流會產(chǎn)生磁場。這是麥克斯韋方程中描述的電磁學(xué)的基本事實。然后，時變磁場可以在附近的電路中感應(yīng)出電動勢。

讓我們考慮一下下面3D視圖中顯示的繞線電感器。當(dāng)開關(guān)電流流過線圈時，線圈會發(fā)出時變磁場。如果你回到你的物理課，你就會知道由開關(guān)電流產(chǎn)生的不斷變化的磁場會在周圍的導(dǎo)體中感應(yīng)出渦流。

由于來自PWM驅(qū)動電路的開關(guān)電流，電感線圈產(chǎn)生的磁場。

L2上場線幾乎垂直于接地層的區(qū)域?qū)⒏袘?yīng)渦流。

不同類型的電感器在電感器磁芯周圍會有不同的磁場分布。電感器磁芯的方向、用于構(gòu)建電感器的材料以及電感器的類型（繞線、薄膜型、屏蔽等）也很重要。在上述情況下，我們有一個垂直定向的電感線圈。但是，如果該電感器被屏蔽，則由開關(guān)電流產(chǎn)生的磁場將大部分包含在電感器封裝內(nèi)。其他封裝（如環(huán)形電感器）有助于將磁通量包含在纏繞線圈內(nèi)。

切口仍會經(jīng)歷感應(yīng)EMF和電流

如果您放置一個切口，仍然會在附近的平面層中產(chǎn)生EMF和產(chǎn)生的電流。在下面的示例中，如果我們假設(shè)磁場指向切口，則生成的電流回路將是順時針方向，如下所示。

位于GND平面/多邊形切口上方的電感器仍會在帶有切口的層中產(chǎn)生渦流。

如果我們通過所有層切割這個地面，現(xiàn)在我們會遇到非常糟糕的情況，我們會在所有層上感應(yīng)這些電流。它還允許磁場在PCB周圍散發(fā)，而帶有GND的外殼通常會屏蔽它。從EMC的角度來看，這是非常糟糕的。將地放在電感器下方會阻止該磁場通過電路板并可能干擾其他組件；我認(rèn)為這是在電感器下方使用它的適當(dāng)理由。

磁感應(yīng)電流如何影響操作

上面的邏輯是，如果接地位于電感器下方，磁場將在下一層產(chǎn)生渦流。這些渦流會產(chǎn)生自己的磁場，與電感器的磁場相反。推理是電感器將具有較低的“等效”電感，因為開關(guān)電流產(chǎn)生的總磁場較低。如果你愿意，你也可以從電感線圈和平面之間的互感來考慮；這降低了系統(tǒng)的總電感。

假設(shè)的結(jié)果將是在其他電路中感應(yīng)的噪聲。然而，接地對內(nèi)部層上的電路和布線提供了一些屏蔽，從而限制了表面層附近的噪聲。無論您是否放置切口，渦流和噪聲無論如何都會存在，因此您必須容忍電感器附近的電路中的一些噪聲。由于更好的選擇是屏蔽所有其他層中的這種噪聲，因此我贊成電感器下方的接地。使接地更靠近電源調(diào)節(jié)器中的元件通常也是控制寄生效應(yīng)的好主意。

概括

我們從上述討論中得到了幾個主要結(jié)果：

在電感下方放置接地會降低其有效電感；使地更靠近電感器會產(chǎn)生更大的電感降低

在電感下方放置接地有助于屏蔽內(nèi)部/背層上的其他電路，使其免受直接來自電感磁芯的噪聲的影響，但如果開關(guān)環(huán)路分布在疊層上，則要小心，因為這可能會在附近的走線上引起噪聲

最后，可以公平地得出結(jié)論，如果您愿意由于相鄰銅箔中存在渦流而犧牲一點電感，那么在開關(guān)穩(wěn)壓器PCB布局中將接地置于開關(guān)節(jié)點和電感器下方是沒有問題的。更好的選擇是將其與屏蔽電感器結(jié)合使用；您可以獲得屏蔽接地的好處，并且電感器封裝將更好地包含磁場。頂層噪聲問題通過適當(dāng)?shù)牟季趾皖~外的屏蔽來解決，方法是將GND網(wǎng)絡(luò)放置在靠近控制電路和任何敏感走線的位置。

就開關(guān)節(jié)點而言，可能存在一些爭論，即在開關(guān)節(jié)點附近放置接地是否會導(dǎo)致過多的噪聲耦合遠離開關(guān)節(jié)點并進入接地。只要整流元件的電容足夠大，阻抗最小的路徑將通過整流元件，而不是通過電容耦合回到附近的接地層。在大多數(shù)情況下，這是整流MOSFET的終端電容。