安森美半導(dǎo)體已完成其在韓國(guó)富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長(zhǎng),安森美美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇用多達(dá)1,000名當(dāng)?shù)毓と耍饕钛a(bǔ)高技術(shù)職位 - 比目前的約2,300名員工增加了40%以上。
碳化硅器件對(duì)于電動(dòng)汽車(chē) (EV)、能源基礎(chǔ)設(shè)施和大功率電動(dòng)汽車(chē)插座的功率轉(zhuǎn)換不可或缺。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái),由于對(duì)SiC芯片的需求迅速增加,對(duì)這些產(chǎn)品的需求將超過(guò)供應(yīng)。富川晶圓廠的擴(kuò)建滿(mǎn)足了對(duì)額外產(chǎn)能的迫切需求,使安森美能夠繼續(xù)為其客戶(hù)提供供應(yīng)保證,并鞏固其作為智能電源解決方案領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
新的 150 mm/200 mm SiC 晶圓廠生產(chǎn)線、高科技公用設(shè)施結(jié)構(gòu)和相鄰的停車(chē)場(chǎng)于 2022 年年中至 2023 年 9 月底之間建成。150毫米/200毫米SiC Epi和晶圓廠的擴(kuò)建突顯了安森美在棕地建立垂直整合的碳化硅制造供應(yīng)鏈的承諾。在2025年對(duì)200毫米SiC工藝進(jìn)行認(rèn)證后,富川SiC工廠將從150毫米晶圓生產(chǎn)轉(zhuǎn)變?yōu)?00毫米晶圓生產(chǎn)。
安森美的領(lǐng)導(dǎo)層由京畿道泰英Yeom經(jīng)濟(jì)副知事率領(lǐng)的政要代表團(tuán),隨后是富川市市長(zhǎng)YongEik Cho,國(guó)會(huì)代表和富川工商會(huì)主席JongHuem Kim。來(lái)自當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)、消費(fèi)者、供應(yīng)商和半導(dǎo)體行業(yè)的代表也出席了會(huì)議。
審核編輯:彭菁
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5414瀏覽量
132332 -
安森美半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
565瀏覽量
63639 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3729瀏覽量
69458 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3469瀏覽量
52382
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售培訓(xùn)手冊(cè):電源拓?fù)渑c解析
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告
安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析
安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
安森美半導(dǎo)體完成在韓國(guó)全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建
評(píng)論