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可編程晶振常見(jiàn)問(wèn)題以及使用思路

揚(yáng)興科技 ? 2023-10-27 14:57 ? 次閱讀
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編程晶振。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是一種任意編程頻率的晶振,可以通過(guò)一個(gè)發(fā)生器放大或縮小,有選擇地實(shí)現(xiàn)各種總線頻率。在實(shí)際應(yīng)用或初步了解中,會(huì)遇到各種各樣的問(wèn)題。以下編輯列出了與SiTime可編程晶振相關(guān)的一些常見(jiàn)問(wèn)題和答案。

OE和ST功能有什么區(qū)別?

SiTime 晶振(引腳1)的大多數(shù)特征引腳可編程為“輸出使能”(OE)或“待機(jī)”(st)功能。在這兩種情況下,拉低引腳1都可以停止器件的輸出振蕩,但方式不同,如下所述。

對(duì)OE引腳施加邏輯低電平只會(huì)禁用輸出驅(qū)動(dòng)器并將其置于Hi-Z模式,但器件的其余部分仍在運(yùn)行。由于輸出無(wú)效,功耗降低。例如,對(duì)于3.3V SiT8003 20MHz器件,在15pF負(fù)載下,IDD從4mA降至3.3mA。當(dāng)OE引腳被拉高時(shí),輸出通常小于1us。

當(dāng)ST引腳被拉低時(shí),帶ST引腳的器件進(jìn)入待機(jī)模式。器件內(nèi)部電路全部關(guān)斷,電流降至待機(jī)電流,一般在幾微安范圍。當(dāng)ST被拉高時(shí),器件將執(zhí)行“恢復(fù)”過(guò)程,這可能需要3ms至10ms的待機(jī)電流,恢復(fù)時(shí)間在器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中有規(guī)定。有些SiTime數(shù)據(jù)表沒(méi)有規(guī)定恢復(fù)時(shí)間;在這種情況下,恢復(fù)時(shí)間與啟動(dòng)時(shí)間相同。

問(wèn):我可以對(duì)SiTime器件進(jìn)行編程以驅(qū)動(dòng)大于15 pF的負(fù)載嗎?

是的,具有單端LVCMOS輸出的SiTime器件通常指定15pF容性負(fù)載的上升和下降時(shí)間。該器件可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)60pF的大負(fù)載,上升和下降時(shí)間較慢。對(duì)于需要快速上升和下降時(shí)間(1ns)并能驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載的應(yīng)用,可根據(jù)要求提供具有高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度輸出的緩沖器件。

問(wèn):我可以調(diào)整SiTime 晶振輸出的上升和下降時(shí)間嗎?

是的,用戶可以通過(guò)改變驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度來(lái)調(diào)整SiTime振蕩器的輸出緩沖。通過(guò)增加或減少輸出級(jí)的最大驅(qū)動(dòng)電流,可以分別減少或增加上升和下降時(shí)間。高驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度可以驅(qū)動(dòng)更大的負(fù)載,同時(shí)實(shí)現(xiàn)更快的上升和下降時(shí)間。低驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度可以降低時(shí)鐘邊沿轉(zhuǎn)換速率和潛在的EMI。

可編程晶振怎么使用呢!一般使用的時(shí)候可以直接通過(guò)使用說(shuō)明進(jìn)行操作的。像這樣的精密的產(chǎn)品都是有使用說(shuō)明書(shū)的,只要咱們可以直接通過(guò)可編程晶振使用說(shuō)明進(jìn)行合理的操作就可以了。

當(dāng)然,目前對(duì)于可編程晶振使用方式,可以看使用說(shuō)明書(shū),還可以看視頻教程,也可以直接詢問(wèn)可編程晶振客服,一般都是有的簡(jiǎn)單的指導(dǎo)服務(wù)的。只要企業(yè)操作人員學(xué)會(huì)操作以后就行了。

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