據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱，中國(guó)最大閃存芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)起訴美光，后者侵犯了專利。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中提到，美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，以抵御來自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)，并獲得和保護(hù)市場(chǎng)份額。

訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面：美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了美國(guó)專利號(hào)為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。

美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。

去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。

有相關(guān)專家表示，如果按照上述這份起訴書來看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利幾乎可以讓他們贏下對(duì)美光的官司，只要法官?zèng)]有偏袒的意思，這也直接展示了，中國(guó)存儲(chǔ)巨大進(jìn)步。