脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程：

這個流程算是LD最基礎的流程，第一步做Mesa臺階，第二步做SiO2阻擋層，第三步做P電極、第四步做減薄、拋光；第五步做N電極。然后就是切片、測試、封裝。

但是里面也有幾個關鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣EtchGaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。

測試：

808nm100um- Stripe 1.5mmCavity Length

芯片在未封裝成器件時，測試載臺的溫度對測試結果影響很大，需要溫控系統(tǒng)。通常情況下設定測試溫度25℃，也有低溫些的，15~20℃等等。

L-I-V測試是LD芯片基本的測試效果

如上圖ＬＤ，ｌａｓｅｒ的閾值電流在０．４Ａ，通過擬合電壓的斜率可以得到電阻約63.6Ω。最大的轉換效率在電流為1.5A，達到34%。最大效率在2A電流處。之后轉換效率基本沒有增加。

測試波長，波長在測試的時候隨著電流增大會有紅移的現(xiàn)象，主要原因是隨著電流增加，芯片發(fā)光功率會變大，芯片內部的熱量會增加。

激光發(fā)光的近場參數(shù)測試：

激光做好之后，出光效果如何，就需要做個近場測試一下，什么是近場呢，就是無限接近芯片側面出光的幾何尺寸。如上圖，主要有一個X、Y方向的出光面問題。

與近場對應的就是芯片的遠程，就是出射一段距離之后的光斑相貌，發(fā)散角什么的。

一般側發(fā)光Y方向上的發(fā)散角偏大，因為能發(fā)光的有源層太薄了，隨便一發(fā)射就能分開很大的一個角度，而X方向可以通過加大Mesa的寬度開改變大小，都是幾十um甚至上百微米的寬度，因此發(fā)散角很小。但是激光后續(xù)都希望能以近圓形的光斑點耦合到光纖等其他組件中，因此如何做到小的發(fā)散角是芯片的一個重點方向。

另外就目前芯片側發(fā)光工藝中，測試也是一個十分重要的一環(huán)，通常側發(fā)光芯片需要把芯片解離出來之后才能測試，不能像Vcsel或者LED芯片那樣，可以做到整個晶圓統(tǒng)一測試，因此測試效率很低，如何在晶圓上可以完整的測試好整張晶圓上芯片的數(shù)據(jù)是個很好的課題。

審核編輯：湯梓紅