三菱電機今天宣布，將與安世半導體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，安世半導體將使用該芯片來開發(fā)SiC分立器件。

合作方面，前不久，Coherent、電裝和三菱電機已達成協(xié)議，將向Coherent的SiC業(yè)務(wù)投資，投資金額總計10億美元（各5億美元）。 這筆投資將使電裝和三菱各換取12.5%的非控股股權(quán)，Coherent將持有剩余75%的股權(quán)。交易完成之前，Coherent將把SiC業(yè)務(wù)分離出來，并將其投入一家子公司，子公司將繼續(xù)由Coherent的新風險投資與寬帶隙電子技術(shù)執(zhí)行副總裁Sohail Khan領(lǐng)導。

該SiC子公司將與電裝和三菱電機達成長期供應(yīng)協(xié)議，以滿足電裝和三菱對150 mm和200 mm的SiC襯底和外延片的需求。

近年來，Coherent投資擴大了150 mm和200 mm襯底的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對這一市場。此次對SiC業(yè)務(wù)進行10億美元的合并投資，將為擴產(chǎn)該業(yè)務(wù)的襯底和外延片提供資金，另一方面，結(jié)合同時簽訂的供應(yīng)協(xié)議，還可增強SiC業(yè)務(wù)在市場中的地位。預(yù)計2024年第一季度完成此次交易。

而今年5月，三菱電機就與Coherent簽署了一份諒解備忘錄（MOU），雙方合作開展一項計劃，在200mm技術(shù)平臺上大規(guī)模制造SiC電力電子器件。



根據(jù)公告，為了滿足快速增長的需求，三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內(nèi)投資約2600億日元。投資的主要部分（約1000億日元）將用于建設(shè)一個基于200mm技術(shù)平臺的SiC功率器件的新工廠，并加強相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。根據(jù)諒解備忘錄，Coherent公司將為三菱電機未來在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件開發(fā)供應(yīng)200mm n型4H SiC襯底片。






審核編輯：劉清