在電動汽車和可再生能源的采用的推動下，功率半導(dǎo)體市場有望在未來幾年實現(xiàn)顯著增長，同時也推動保護和連接這些設(shè)備所需的封裝發(fā)生巨大變化。

封裝在向更高功率密度的過渡中發(fā)揮著越來越重要的作用，從而實現(xiàn)更高效的電源、電力傳輸、更快的轉(zhuǎn)換以及更高的可靠性。隨著全球轉(zhuǎn)向更快的開關(guān)頻率和更高的功率密度，用于基板、芯片貼裝、引線鍵合和系統(tǒng)冷卻的材料也發(fā)生了相關(guān)的變化。

英飛凌中功率電壓 MOSFET 總監(jiān) Brian LaValle 在最近的一次網(wǎng)絡(luò)研討會上表示：“隨著我們在硅本身方面取得進步，封裝開始變得越來越重要?！?/p>

在高功率和高電流方面，電源模塊提供分立封裝和集成模塊，根據(jù)設(shè)備規(guī)格和使用條件為制造商提供競爭優(yōu)勢。領(lǐng)先的公司供應(yīng)數(shù)百種分立功率器件，但其中一些最常見的包括通孔封裝，例如帶長銀引線的 TO-247 和 TO-220，以及帶引線的表面貼裝 (SMT) 元件，例如D2PAK、DPAK、SO-8 和無引線 (TOLL)、PQFN 和 CSP。

頂部冷卻 SMT 可以提供較低的熱阻，因為排水片直接連接到散熱器。由于 SMT 中的柵極環(huán)路更小，該方法還可以提高開關(guān)性能。暴露的源極片可以與散熱器齊平，以提高器件的電流能力。整體解決方案包括通過單面或雙面冷卻進行有效的熱管理，以及框架或模制模塊中的多芯片集成。

據(jù) Amkor 稱，功率四方扁平無引線 (PQFN) 封裝是當今最受歡迎的選擇之一。這是由于其緊湊的尺寸（3 x 3mm 至 8 x 8mm）、低寄生效應(yīng)（可實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻 [RDS(on)]）、出色的熱性能以及眾多的多芯片、多夾子和電線變化。PQFN 還與 GaN 兼容，并且具有無鉛電鍍和無鹵素模塑料、汽車用可潤濕側(cè)翼以及雙散熱器選項。

Amkor 還使用多種 SiC 兼容工藝，其中包括體積 SiC 切割、大規(guī)格引線鍵合以及符合汽車標準的測試和老化服務(wù)?！癆mkor 是首批為電動汽車制造商提供碳化硅封裝的 OSAT 之一，” Amkor焊線和電源業(yè)務(wù)部公司副總裁 Sivakumar Mohandass 說道?！拔覀?yōu)樗须娫唇鉀Q方案提供測試和老化服務(wù)，為客戶提供交鑰匙解決方案?！?/p>

驅(qū)動器和應(yīng)用

功率器件是在電子系統(tǒng)中啟動、停止或調(diào)節(jié)功率的晶體管和二極管。電力電子產(chǎn)品在我們的生活中無處不在，而凈零排放的推動預(yù)計將在短短幾年內(nèi)（2025/2026 年）將市場規(guī)模從 2022 年的 220 億美元增加一倍至 440 億美元。事實上，麥肯錫估計 2022 年至 2030 年間，僅碳化硅功率器件的復(fù)合年增長率就達到 26%。

分立功率器件和功率模塊用于交通、電網(wǎng)、能源存儲、計算、5G 基礎(chǔ)設(shè)施、充電器和工業(yè)驅(qū)動等領(lǐng)域。新功率封裝（包括測試）市場占整個半導(dǎo)體功率市場的20%至25%。

設(shè)備分為低電壓、中電壓和高電壓類別，與低電流、中電流和高電流密切相關(guān)。就在十年前，計算驅(qū)動器的額定電壓為 30V 和 40V 仍是常態(tài)。如今的電壓等級范圍為 40V 至 150V。這一變化正在推動從硅 MOSFET 和 IGBT 向基于碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 的轉(zhuǎn)變，后者的寬帶隙能夠以更小的尺寸實現(xiàn)更高的開關(guān)功率特性、更高的工作頻率和更低的 RDS(on)。腳印。[注：絕緣柵雙極晶體管將輸入 MOSFET 與輸出雙極結(jié)型晶體管結(jié)合在一起。]

在智能電源應(yīng)用中，效率是最重要的選擇因素。相比之下，汽車應(yīng)用要求功率損耗保持在絕對最低水平。SiC 器件的工作溫度較高，且與硅系統(tǒng)價格相當，這使得 SiC 成為電池電動汽車車載充電、牽引逆變和 DC-DC 轉(zhuǎn)換的首選材料。

電源開關(guān)非常高效，但即使是最高效的開關(guān)也需要權(quán)衡操作。封裝電感和電阻直接影響傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。

功率器件的結(jié)構(gòu)與 CMOS FET 不同。它們是垂直器件而不是平面器件，并且它們不像 CMOS 器件那樣縮放。盡管如此，還是有一些方法可以實現(xiàn)有效的擴展。QP 高級工藝工程師 Sam Sadri 表示：“盡管在微流體冷卻方面有很多研發(fā)活動，但您可以通過使用直接鍵合銅 (DBC) 連接兩個相同的芯片并從兩側(cè)對其進行冷卻（目前通常使用氣流）來減小尺寸?！奔夹g(shù)。

直接鍵合銅通常是一個兩層工藝，其中基板的背面是堅固且無特征的銅片，并且頂部銅層使用濕化學(xué)蝕刻來結(jié)構(gòu)化以形成電路跡線。底部銅層通常焊接到散熱器或散熱器上。

對于電源模塊等復(fù)雜器件，設(shè)計技術(shù)與工藝技術(shù)的協(xié)同優(yōu)化變得越來越普遍。Synopsys、Cadence 和其他 EDA 公司在系統(tǒng)設(shè)計規(guī)劃之初就推薦對設(shè)備使用 DTCO。例如，Synopsys PrimePower 產(chǎn)品能夠?qū)K級和全芯片設(shè)計進行準確的功耗分析，從 RTL 開始，經(jīng)過不同的實施階段，直至功耗簽核。該實現(xiàn)包括由 RTL 和門級活動驅(qū)動的門級功耗分析以及詳細的功率級可靠性簽核。

芯片尺寸越大，與不同材料特性相關(guān)的機械挑戰(zhàn)就越大，特別是熱膨脹系數(shù) (CTE)。功率模塊在較高的結(jié)溫下運行，反復(fù)達到 150°C 至 200°C，這對材料造成了壓力?！斑€有電氣要求，例如環(huán)路電感。例如，當您設(shè)計電源時，您必須了解電氣特性，因為在正常情況下可能不會出現(xiàn)問題。但當出現(xiàn)電涌時，可能會發(fā)生損壞，”QP Technologies 的 Sadri 說道?！傲硪粋€顯然是機械特性。當 CTE 不匹配時，當兩種材料加熱和冷卻時，它們會以不同的速率膨脹和收縮，從而產(chǎn)生機械應(yīng)力 - 例如，硅的 CTE 約為 4，而銅的 CTE 約為 17 (ppm/°C)?！?/p>

汽車逆變器和其他應(yīng)用中用 SiC MOSFET 取代硅 IGBT 也正在推動裝配和封裝的變化。由于其工作溫度較高，因此需要大規(guī)格引線鍵合、銅夾、銀燒結(jié)和導(dǎo)電性更強的模塑料。SiC 的硬度幾乎與金剛石一樣，因此分割會使用這種材料（金剛石涂層刀片）來機械分離芯片。3D-Micromac 開發(fā)了一種速度更快且潛在破壞性更小的工藝，該工藝在兩步劃線和切割工藝中使用熱激光鋸切 (TLS-Dicing) 工藝。

快如閃電的開關(guān)

電力電子設(shè)備由電源轉(zhuǎn)換開關(guān)組成，這些開關(guān)將電池電量轉(zhuǎn)換為電力驅(qū)動電機，以及用于管理和減少非電動汽車燃油消耗和排放的動力系統(tǒng)解決方案。功率器件（MOSFET 或 IGBT）可以是分立（單操作）器件或集成模塊，屬于系統(tǒng)級封裝 (SiP) 的一種。

功率器件的運行總是會產(chǎn)生損耗，包括傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。隨著功率半導(dǎo)體制造商向更高功率密度發(fā)展，在高結(jié)溫下?lián)p耗可能高達 100V/cm2。所有絕緣材料和互連方法的設(shè)計必須保證系統(tǒng)在規(guī)范范圍內(nèi)運行。

功率器件運行的敵人是寄生電阻、電容和電感，通常統(tǒng)稱為“寄生效應(yīng)”。除了普遍轉(zhuǎn)向 SiC 和 GaN 技術(shù)之外，功率封裝可以是分立的，也可以是集成的，如模塊中的電源管理 IC 或 PMIC。這些模塊可以是基于框架的或模制的。

功率器件封裝為器件提供電壓隔離、電氣連接、機械穩(wěn)定性、防潮和散熱。當需要多個芯片時，將它們并聯(lián)連接在一個模塊中。例如，用于牽引逆變器的功率模塊具有高電壓和高電流能力（高達 10kV），采用了覆銅陶瓷基板。該布局使用楔形鋁鍵合將電位和正面接觸分開（見圖 1）。

氮化鋁的導(dǎo)熱性最好，但機械強度較差。氧化鋁(Al 2 O 3 )最便宜，但導(dǎo)熱率低。高達 3 電平拓撲的超大電流需要多個基板，例如，在尺寸為 50mm x 60mm 的汽車牽引模塊中（3.3kV，I nom為 1.5kA）?；蹇梢允倾~或鋁銀銅合金。Infineon 的 Olaf Holfeld 指出，100W/cm 2的損耗密度和 150 至 200°C 的運行溫度很常見。

圖 1：框架式功率模塊采用金屬基板、陶瓷基板、引線鍵合和銅端子。空腔內(nèi)填充有硅膠，起到絕緣作用

多年來，芯片連接材料已從含鉛焊料變?yōu)闊Y(jié)銀。燒結(jié)是一種利用溫度（在許多情況下還利用壓力）將納米級顆粒粘合在一起，同時連接相鄰表面的過程。也可以使用銅進行燒結(jié)。英飛凌估計，燒結(jié)銀芯片連接的粘合可靠性比傳統(tǒng)焊料高 20 倍。對于引線鍵合，將根據(jù)長度選擇鋁或銅，但銅可以處理的電流是銀的兩倍。

芯片與基板連接的可靠性取決于堆棧承受功率循環(huán)和溫度波動的能力。東洋油墨最近推出了一種納米銀芯片粘接材料，該材料在汽車應(yīng)用中表現(xiàn)出 300W/mK 的導(dǎo)熱率和 40 MPa 的粘合強度。它在 230° 至 300°C 的溫度下使用無壓或壓力輔助條件進行點膠。同時，燒結(jié)銀漿可以承受更高的工作溫度，并且比傳統(tǒng)焊料具有更薄的粘合層厚度。

“燒結(jié)銀含有如此多的銀，其性能比金錫或焊料好得多，而金錫或焊料是連接功率芯片的典型方法，”QP Technologies 的 Sadri 說。

盡管用于功率器件的封裝技術(shù)有多種，但工程師會選擇與芯片性能規(guī)格（比電阻、Rds(on) 和柵極電流）最匹配的架構(gòu)、互連和組裝方法，而成本幾乎始終是一個重要因素因素。

對于復(fù)雜的器件類型，設(shè)計技術(shù)與工藝技術(shù)的協(xié)同優(yōu)化變得越來越普遍。Synopsys、Cadence 和其他 EDA 公司在系統(tǒng)設(shè)計規(guī)劃之初就推薦對設(shè)備使用 DTCO。Synopsys PrimePower 產(chǎn)品能夠?qū)K級和全芯片設(shè)計進行準確的功耗分析，從 RTL 開始，經(jīng)過不同的實施階段，直至功耗簽核。

與 DTCO 一樣，可制造性設(shè)計 (DFM) 對于功率器件至關(guān)重要。“工程師可以制造任何東西。但我們需要構(gòu)建數(shù)千甚至數(shù)百萬臺具有相同性能和可靠性的設(shè)備。因此，這就是 DFM 真正重要的地方，這是關(guān)鍵，”Sadri 補充道。

嵌入式基板方法

工程師可以最大限度地減少寄生效應(yīng)的方法之一是使用嵌入式芯片基板。在此，功率器件（MOSFET、IGBT）和無源器件集成在基板（有機層壓層的堆疊）中，并使用基板中的鍍銅通孔和導(dǎo)電跡線進行連接。較短的互連可以最大限度地減少失真和功率損耗，同時降低電阻和熱阻。

圖 2：嵌入式基板方法通過將器件、引線框架和基板集成在一起來降低功耗，從而減少寄生效應(yīng)，提供高散熱和 EMI 優(yōu)勢

嵌入式技術(shù)提供 SMT 集成和靈活的布線解決方案。銅通孔結(jié)構(gòu)提供短連接路徑，所應(yīng)用的金屬引線框架和芯片布局可以實現(xiàn)高散熱和 EMI 優(yōu)勢。

例如，ASE 的 a-EASI（高級嵌入式主動系統(tǒng)集成）方法旨在以較小的占地面積實現(xiàn)更高水平的功能集成。該方法可以表面貼裝 (SMT) 到 PCB 上，并提供布線靈活性以減小總體 PCB 尺寸。

結(jié)論

隨著歷史悠久的硅器件被具有更快開關(guān)行為和更高溫度能力的 SiC 器件所取代，功率半導(dǎo)體組裝中使用的材料正在發(fā)生變化。封裝公司開始采用無引線封裝，例如 TOLL 或功率 CSP，以及空間關(guān)鍵型應(yīng)用中的表面貼裝器件。

隨著當前對純電動汽車以及太陽能和風(fēng)能等清潔能源的關(guān)注，對可靠電源和轉(zhuǎn)換的需求預(yù)計將快速增長。隨著碳化硅功率器件性能和可靠性的提高，燒結(jié)銀和直接鍵合銅等材料將越來越多地被采用，以在更小的整體占地面積中提供更高可靠性的電力系統(tǒng)。