英飛凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品,進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù),具有出色的控制和性能,能夠大幅降低損耗,提高效率和功率密度。因此,該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用,如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。

在分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級(jí)為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封裝具有較高的爬電距離。TO-247的4引腳封裝(標(biāo)準(zhǔn)封裝:IKZA,Plus封裝:IKY)在提高性能方面表現(xiàn)出眾,因?yàn)樗粌H能降低開關(guān)損耗,還提供了額外的優(yōu)勢(shì),如更低的電壓過沖、最小的導(dǎo)通損耗和最低的反向恢復(fù)損耗。憑借這些特性,TRENCHSTOP IGBT7 H7簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),最大限度減少了并聯(lián)器件的需求。
此外,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7具有出色的防潮性能,可在惡劣環(huán)境中可靠運(yùn)行。該器件通過了JEDEC 47/20/22的相關(guān)測(cè)試,特別是HV-H3TRB,符合工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),因此非常適合戶外應(yīng)用。IGBT專為滿足環(huán)保以及高效能源應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),相較于前幾代產(chǎn)品有顯著改進(jìn)。因此,TRENCHSTOP IGBT7 H7 是常用于太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)等中的NPC1拓?fù)涞睦硐胙a(bǔ)充。
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2518瀏覽量
142914 -
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18842瀏覽量
263606 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1288文章
4334瀏覽量
263105
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
新品 | TRENCHSTOP? IGBT 7 H7 750V分立器件
分立式與集成式差分放大器的性能對(duì)比
新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開關(guān)
深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用解析
Wolfspeed發(fā)布E4MS系列分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed發(fā)布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET
合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用
龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品
Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成
新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET
新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET
新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列
Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用
新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列
英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品
評(píng)論