91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

SEMIEXPO半導(dǎo)體 ? 來源:SEMIEXPO半導(dǎo)體 ? 2023-11-29 17:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)報(bào)道,韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗(yàn)證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。

據(jù)悉,SKMP開發(fā)的新型KrF光刻膠厚度為14~15微米,與東進(jìn)半導(dǎo)體(DONGJIN SEMICHEM)向三星供應(yīng)的產(chǎn)品類似,而日本JSR公司的類似產(chǎn)品厚度僅為10微米。

光刻膠的厚度對于提高3D NAND閃存工藝處理效率有較大幫助,但是更高的厚度也意味著技術(shù)難度更高,因?yàn)榛瘜W(xué)材料的粘性可能導(dǎo)致涂層表面不平整,這也是東進(jìn)半導(dǎo)體目前仍是三星這類產(chǎn)品唯一供應(yīng)商的原因。隨著SKMP加入競爭,SK海力士將能夠用這款KrF光刻膠生產(chǎn)238層3D NAND閃存。

SKMP很可能取代日本JSR的主導(dǎo)地位,成為其主要的供應(yīng)商。目前,SK海力士238層3D NAND閃存晶圓的月產(chǎn)能約為5000片,預(yù)計(jì)未來將進(jìn)一步提升產(chǎn)能,從而帶動SKMP公司光刻膠的銷量。

SK海力士于2023年8月展示了世界首款321層NAND閃存芯片樣品,屬于TLC 4D NAND,容量高達(dá)1Tb,預(yù)計(jì)產(chǎn)品將于2025年量產(chǎn)。







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5415

    瀏覽量

    132337
  • NAND閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    229

    瀏覽量

    23819

原文標(biāo)題:韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠,可助力3D NAND閃存制造

文章出處:【微信號:Smart6500781,微信公眾號:SEMIEXPO半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)芯片,一直被譽(yù)為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要設(shè)備光刻機(jī)就是 雕刻這個(gè)結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機(jī)還不夠,還需要
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?6675次閱讀

    光刻膠液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

    在浸沒式光刻技術(shù)中,為提升分辨率而在鏡頭與晶圓間引入液體介質(zhì)(如去離子水或折射率液體),卻引發(fā)了光刻膠與液體間復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用,成為制約工藝穩(wěn)定性的關(guān)鍵問題。光刻膠在接觸水后會
    的頭像 發(fā)表于 01-16 18:04 ?320次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?1946次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1794次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及<b class='flag-5'>厚度</b>監(jiān)測方法

    國產(chǎn)百噸級KrF光刻膠樹脂產(chǎn)線正式投產(chǎn)

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,八億時(shí)空宣布其KrF光刻膠萬噸級半導(dǎo)體制程自動化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成,標(biāo)志著我國在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:26 ?9781次閱讀

    3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

    光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級,傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:46 ?1223次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> 共聚焦顯微鏡 | 芯片<b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>光刻</b>工藝的表征應(yīng)用

    國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材,尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷,國外企業(yè)對原料和配方高度保密,我國九成以上光刻膠依賴進(jìn)口。不過近期,國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?6897次閱讀

    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之光刻膠厚度測量

    光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣,在電子工業(yè)集成電路制造中,對其有著極為嚴(yán)格的要求,而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。 項(xiàng)目需求? 本次項(xiàng)目旨在測量
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?577次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>厚度</b>測量

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1055次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時(shí),
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?828次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?905次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1597次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測量光刻圖形
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1360次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9567次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性

    3D閃存制造工藝與挑戰(zhàn)

    3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存制造工藝與挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 14:38 ?2474次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>的<b class='flag-5'>制造</b>工藝與挑戰(zhàn)