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一種具有超寬動態(tài)范圍和低噪聲的集成微波濾波器

牛牛牛 ? 來源:eetop ? 作者:eetop ? 2023-12-01 11:45 ? 次閱讀
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使用創(chuàng)新的光子學拓撲,研究人員開發(fā)了一種具有超寬動態(tài)范圍和低噪聲的集成微波濾波器。

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通過本文,您將可以了解到:

光子學如何提供高性能射頻濾波。

用于實現(xiàn)原理的光子學拓撲。

各種性能測試的結果。

乍一看,電子電路/RF 世界和光子設備世界似乎是兩個截然不同的環(huán)境。但事實并非如此,許多光子器件正在微波 RF 應用中發(fā)揮作用。

微波光子學 (MWP) 是一個跨學科研究領域,它開發(fā)使用光學元件生成、處理和分配射頻/微波信號的技術。雖然已經(jīng)開發(fā)了許多集成的 MWP 功能,例如濾波器、移相器、延遲線和波束成形,但這些電路需要在損耗、噪聲系數(shù)和動態(tài)范圍方面表現(xiàn)出先進的可重構性和高 RF 性能才能可行在實際射頻應用中。

Twente 大學(荷蘭恩斯赫德)的一個研究團隊開發(fā)了一種可編程的集成 MWP 電路,具有高集成度、多功能可重構性和令人印象深刻的 RF 性能。他們創(chuàng)建了具有創(chuàng)紀錄的低噪聲系數(shù)的可重構濾波器功能和具有超高動態(tài)范圍的 RF 陷波濾波器。

MT 和 DI-RR

他們使用全集成調(diào)制變壓器 (MT) 和雙注入環(huán)形諧振器 (DI-RR) 作為多功能光學過濾組件實現(xiàn)的多功能、復雜的頻譜定制來實現(xiàn)這一點(圖 1 )。該團隊還引入了兩種增強 RF 性能的技術:光載波抑制和低偏置 Mach Zehnder 調(diào)制器。

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1.超高動態(tài)范圍可編程集成MWP電路:該電路包含一個多功能調(diào)制變壓器(MT)以獨立調(diào)整光調(diào)制頻譜的相位和幅度以及一個雙注入環(huán)形諧振器(DI-RR)合成各種響應,包括可編程射頻濾波器。MT 和 DI-RR 的組合還允許通過低偏置和載波抑制技術消除互調(diào)失真 (IMD) 和噪聲系數(shù) (NF) 來實現(xiàn)線性化,從而實現(xiàn)超高動態(tài)范圍。(SFDR:無寄生動態(tài)范圍)

MT 可以獨立調(diào)整任何輸入光調(diào)制頻譜的相位和幅度,并將頻譜轉(zhuǎn)換為不同的輸出光調(diào)制(圖 2)。DI-RR 能夠從單個輸出合成六個不同的響應;使用新電路提出了四種不同的概念驗證方案。

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2.調(diào)制變換器(MT)的工作原理:頻譜解交織器用于將一個邊帶與光載波和另一邊帶隔離開來。級聯(lián)可調(diào)衰減器和移相器用于調(diào)整隔離邊帶的相位和幅度。結合光載波和未處理的邊帶,可實現(xiàn)多種光譜整形,合成多種調(diào)制格式,例如單邊帶 (SSB) 調(diào)制、相位調(diào)制和任意調(diào)制。(INT:頻譜解交織器,TA:可調(diào)衰減器,PS:移相器)

結合 MT 和 DI-RR 的電路合成了具有高 RF 性能的 MWP 帶阻帶通可重構濾波器。MWP 帶阻/陷波濾波器具有 58 dB 抑制和 10 dB 射頻增益和 15 dB 噪聲系數(shù) (NF)。通過適當?shù)恼{(diào)諧,該濾波器可以重新配置為具有 20 dB 抑制、1.2 dB RF 增益和 21.8 dB NF 的 MWP 帶通濾波器。

這些結果表明,新電路具有通用的濾波功能以及卓越的射頻性能。然而,盡管取得了這些成就,新電路的濾波器帶寬仍處于數(shù)百 MHz 的數(shù)量級,這對于某些 RF 應用來說是不夠的。

使用 SBS 提高帶寬

為了克服這一挑戰(zhàn)并創(chuàng)建具有窄帶寬的 MWP 濾波器,系統(tǒng)中引入了一種稱為受激布里淵散射 (SBS) 的非線性光學效應。SBS 是光學介質(zhì)中的三階非線性特性,它是由光波和聲波在波導中的相互作用產(chǎn)生的。

因此,在接下來的電路設計中,在系統(tǒng)中添加了能夠感應 SBS 的螺旋波導。與 MT 和 DI-RR 一起,這個新電路旨在創(chuàng)建一個可編程的 MWP 布里淵濾波器,它具有可重新配置的窄帶寬和高 RF 性能。

波導是使用標準光子 IC 工藝制造的。首先,在高于 1000°C 的溫度下,通過濕法熱氧化單晶硅襯底生長SiO 2層。然后將低壓化學氣相沉積 (LPCVD) 用于 Si 3 N 4層,同時將氣體原硅酸四乙酯 (TEOS) 用于中間 SiO 2層。隨后,使用接觸光刻對波導進行圖案化,并使用干法蝕刻進行處理。最后,通過 LPCVD TEOS 在波導上覆蓋一層額外的 SiO 2層。

檢測結果

核心 MT 和 DI-RR 的性能根據(jù)廣泛的相關因素進行了評估(圖 3)。

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3.可編程集成 MWP 電路:(a) 帶有輪廓波導引線的可編程光子芯片的光學圖像,包含一個調(diào)制變壓器 (MT) 和一個雙注入環(huán)形諧振器 (DI-RR)。MT 包含一個頻譜解交織器,用于將一個 RF 邊帶與整個調(diào)制頻譜隔離開來。移相器和可調(diào)諧耦合器用于控制隔離邊帶的相位和幅度。調(diào)制變換是在輸出端重組后實現(xiàn)的。(b) 使用具有 IM 輸入的 MT 實現(xiàn)的具有 62 dB 消光的強度相位調(diào)制 (IMPM) 轉(zhuǎn)換的實驗結果。(c) 測得的具有 64 dB 消光的相位強度調(diào)制 (PMIM) 轉(zhuǎn)換,使用帶有 PM 輸入的 MT 實現(xiàn)。DI-RR 電路用于合成多個濾波器功能。(dg) 模擬(藍線)和測量(黑線)選擇的氮化硅 DI-RR 的響應,當調(diào)諧以展示陷波濾波器 (d)、帶通濾波器 (e)、類 fano 響應 (f) 和所有- 通過響應 (g)。[注意:“fano 響應”是一種導致不對稱線形的共振散射現(xiàn)象。]

端到端性能還針對許多參數(shù)進行了表征,包括(但不限于)在各種雙音頻率下的無雜散動態(tài)范圍 (SFDR) 測量以及 12 GHz 的陷波響應(圖 4 )。

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4.在 12 GHz 處具有陷波響應的各種雙音頻率下的無雜散動態(tài)范圍 (SFDR) 測量:(a) 8 GHz 處的 SFDR,(b) 9 GHz 處的 SFDR,(c) 10 GHz 處的 SFDR,(d ) 16 GHz 時的 SFDR。(IMD3:三階互調(diào)失真,IMD5:五階互調(diào)失真)

該研究的作者之一 David Marpaung 教授這樣總結道:“解決噪聲系數(shù)和動態(tài)范圍問題是微波光子學中最艱巨的挑戰(zhàn)之一。這一突破證明集成微波光子學確實可以實現(xiàn)非常高的性能?!?/p>

審核編輯:黃飛

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