美國西德克薩斯州法院陪審員12月5日公布的判決中稱，歐洲芯片制造企業(yè)st.半導體因侵犯一項晶體管技術(shù)專利，應向普渡大學賠償3250萬美元。

該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。

意法半導體的一位發(fā)言人說該公司將對判決提出上訴。普渡大學的律師Michael Shore表示，對意法半導體不利的證據(jù)是“壓倒性的”，到2026年為止，將需要支付1億美元以上的專利使用費。

據(jù)悉，mosfet主要用于電子產(chǎn)品。在2021年，普渡起訴mosfet侵犯了太陽能冷暖房系統(tǒng)、汽車充電站和其他可再生能源產(chǎn)品的兩項晶體管技術(shù)專利。

普渡大學的專利是一項用于高電壓電力應用的半導體和mosfet技術(shù)創(chuàng)新，由普渡大學的前教授James Cooper和他的學生asmita saha申請。