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晶盛機電:正式進入碳化硅襯底項目量產(chǎn)階段

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-12-06 14:08 ? 次閱讀
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12月5日,晶盛機電公司最新調(diào)研摘要顯示,目前公司6英寸基板已通過多家下游企業(yè)檢驗,實現(xiàn)了大量銷售,8英寸基板正處于下游企業(yè)檢驗階段。

2023年11月4日,晶盛機電展舉行了“每年25萬個6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”的簽署及啟動儀式。此次措施象征著在半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)力量和市場競爭力將進一步提高。目前,公司正在積極推進提高項目進度和生產(chǎn)能力。

晶盛機電公司決定從2017年開始,碳化硅生長設(shè)備及技術(shù)研發(fā)(r&d)開始,通過研究開發(fā)組的技術(shù)攻堅,2018年,公司成功開發(fā)了6英寸生長碳化硅決定,2020年長征及加工研發(fā)試驗生產(chǎn)線建立?!辈⒂?022年成功開發(fā)出了8英寸n型碳化硅晶體。2023年11月,碳化硅襯底項目正式進入量產(chǎn)。

對于業(yè)界競爭,晶盛電機指出,公司已經(jīng)掌握了業(yè)界領(lǐng)先的8英寸硅電板技術(shù)和工程。公司決定從2017年開始碳化硅省長設(shè)備和技術(shù)開發(fā),相繼成功開發(fā)了6、8英寸碳化硅決定和襯底片成功解決了8英寸碳化硅在成長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題,是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng) 8 英寸襯底片的企業(yè)。

眾所周知,第三代半導體材料碳化硅具有高通透性電場、高飽和電子移動速度、高熱傳導率、高輻射抵抗能力等特點。碳化硅材料制成的器件具有高溫、高壓、高頻特性好、轉(zhuǎn)換效率高、體積小、重量輕、在多個領(lǐng)域不可替代的優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G 通訊等領(lǐng)域

晶盛機電公司表示,得益于新能源汽車和光伏逆變器等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,世界碳化硅市場規(guī)模迅速上升。根據(jù)yole的預測,2027年全世界碳化硅市場規(guī)模將達到62億9700萬美元。據(jù)中上產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)顯示,到2022年,世界導電碳化硅襯底和半絕緣型碳化硅襯底市場規(guī)模將分別達到5.12億美元和2.42億美元,到2023年將分別達到6.84億美元和2.81億美元。從2022年到2025年,導電硅碳化襯底復合增長34%。

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