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相位調(diào)制器原理解析

CHANBAEK ? 來(lái)源:芯光閃爍 ? 作者:芯光閃爍 ? 2023-12-06 16:50 ? 次閱讀
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電-光效應(yīng)

將一個(gè) 電場(chǎng)施加在光學(xué)介質(zhì)上 , 電子就在電場(chǎng)方向( 與垂直于電場(chǎng)的方向相比 )產(chǎn)生有限運(yùn)動(dòng) ,因此,在該電場(chǎng)作用下, 材料會(huì)變成線(xiàn)性雙折射 ,這就是眾所周知的電-光效應(yīng)。

下面討論如圖所示的結(jié)構(gòu)布局。 入射光與電場(chǎng)成45°線(xiàn)性偏振 ,電場(chǎng)在垂直于光傳播的方向上作用在介質(zhì)上。由電場(chǎng)感應(yīng)的線(xiàn)性雙折射將在與電場(chǎng)平行和正交方向的兩個(gè)入射光分量間產(chǎn)生相移,形成橢圓偏振光。

當(dāng)然,若偏振器的接受方向平行于入射的偏振方向,在沒(méi)有電場(chǎng)時(shí),所有光都能通過(guò);如果施加上電場(chǎng),通過(guò)的光能量的比例將取決于橢球的形式,之后還取決于電場(chǎng)引入的相位延遲,因此可以利用電場(chǎng)調(diào)制光強(qiáng)度。電-光效應(yīng)對(duì)于光的調(diào)制是非常有用的。

半波電壓公式推導(dǎo):

圖片

在X切銀酸鋰晶體上施加橫向電場(chǎng)后,電光效應(yīng)引起的折射率變化在光波導(dǎo)橫截面范圍內(nèi)可以寫(xiě)成:

圖片

積分區(qū)域?yàn)殡姽庀嗷プ饔玫膮^(qū)域。 光波的相位變化為 :

圖片

所以,可得出 TE模在波導(dǎo)中傳播的相位變化和電極電壓的關(guān)系為 :

圖片

將輸出光信號(hào)的相位改變pi時(shí)所需的電壓定義為半波電壓Vπ,可得 相位調(diào)制器半波電壓為 :

圖片

而當(dāng)LiNbO3晶體的M-Z型電光調(diào)制器(雙臂調(diào)制-GSG),由于采用了推挽式結(jié)構(gòu),半波電壓為相位調(diào)制器的1/2,即為:

圖片

一些參數(shù)及單位換算如下:

圖片

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