新能源汽車、光伏、儲能等新興市場的強力推進下，sic的igbt市場替代加快，但是成熟的sic比igbt技術仍在持續(xù)改善的過程中，為了加快sic的大規(guī)模市場上市企業(yè)產業(yè)鏈條sic正在加快相關技術開發(fā)。

其中，成立于2020年的衍梓裝備是國內領先的半導體設備公司，聚焦于硅基外延環(huán)節(jié)及SiC的晶圓制造環(huán)節(jié)。公司發(fā)展迅速，目前已形成制程段完整設備矩陣，實現主要客戶全覆蓋。創(chuàng)新國內技術對半導體領域相關設備的替代和升級。

衍梓裝備擁有業(yè)界最好的研究開發(fā)組。核心技術團隊來自國際知名的idm， foundry，設備和材料等大工廠，包括零部件，制作工程，材料，設備及模擬等領域，具有數十年的生產和研發(fā)經驗。公司建設1000條以上測試生產線，瞄準尖端薄膜研究開發(fā)中心、電力、射頻及先進制程研究設備及技術，與主要客戶形成良好的研究合作能力。

在硅基領域包括微分化和關注方向，產品差別化sto等離子表面處理設備，高可靠性的厚設備；碳化領域硅外延生長的有特色的技術創(chuàng)新為重點，產品有硅炭化硅基片處理設備、硅碳化缺點我電網氧氣制造設備，sic -硅碳化測量解決方案等。

衍梓裝備技術的自主研發(fā)，產品是根據顧客的要求深入理解的基礎上進行技術革新，可以為客戶提供優(yōu)質的產品，為客戶提高收率和生產效率，提高產品的一貫性，降低客戶的生產費用。

在SiC制造領域，高溫離子注入機、金屬有機化合物化學氣相沉淀MOCVD以及柵氧制備設備是SiC領域的三大核心設備。在團隊全力攻關下，衍梓裝備成功推出低缺陷SiC柵極氧化層制備設備。

在極端工作條件下，碳化硅器件的可靠性對保證系統(tǒng)的穩(wěn)定運行起著非常重要的作用，主要問題有雪崩失效、短路失效和浪涌失效等。器件的短路失效和浪涌失效除了熱失效原因外，高溫下場氧區(qū)斷裂或鋁熔化破壞柵氧導致柵源短路也是兩個原因，這對于沉積、熱氧化工藝也提出了更高的要求。

相較于競品所采用含一氧化氮高溫工藝，衍梓裝備設備采用改進工藝，在各項指標性能上均具備較強優(yōu)勢，切實有效解決產業(yè)痛點，其優(yōu)勢包括但不限于：

1、大幅提高晶體管的性能；

2、降低碳化硅氧化層生成成本；

3、大幅提高可靠性；

4、有助于碳化硅器件降低線寬；

5、有效降低對國外高溫零部件的依賴；

6、大幅降低碳化硅器件整體成本。

衍梓裝備由此也成為國內第一家推出新一代低缺陷柵氧制備設備的設備企業(yè)。