今天為大家?guī)淼氖?a target="_blank">半導體光催化技術的基本原理，半導體光催化技術的基本原理主要通過固體能帶理論解釋：半導體光催化材料受光激發(fā)產(chǎn)生光生電子．空穴對，接著進行氧化還原反應。

一般來說，光催化過程主要分為以下三個步驟：

1，半導體材料吸收光子產(chǎn)生光生電子和空穴；

2, 光生電子和空穴從半導體內(nèi)部向表面遷移；
3，光生空穴與供體發(fā)生氧化反應： 光生電子與受體發(fā)生還原反應：

半導體光催化材料受光激發(fā)持續(xù)產(chǎn)生光生電子．空穴對，并被反應物消耗，實現(xiàn)太陽能向化學能的轉換。然而，目前光催化材料的太陽能利用率還達不到理想的實際應用效果。

一方面，半導體只吸收能量大于等于其帶隙的光子，半導體的帶隙決定了吸收光子的數(shù)目。另一方面，大部分光生電子-空穴對在半導體表面／內(nèi)部發(fā)生復合，從太陽光中獲取的能量以光和熱的形式散發(fā)。

審核編輯：黃飛