在選擇緩沖放大器時，需關注各路負電源的來源，原因在于緩沖放大器輸出鏡像需精確達到真零電壓。然而，常見的軌至軌輸出運算放大器并不具備此功能，其最大輸出僅能實現(xiàn)微弱的毫伏級別，而與之交互的高精度數(shù)模轉換器（如分辨率為微伏級的DAC），對這一數(shù)值已近乎飽和。鑒于我的應用實際需求為真正的零輸出，因此存在上述的困擾。

于是，我嘗試引入一些負電源以擴大零點附近的“footroom”（裕量），并非“headroom”（凈空），旨在避免電源過渡區(qū)域處理不當。在尋找其他解決方案過程中，我想到利用光電池取代傳統(tǒng)電壓轉換器的方案。由此，便誕生了圖一展示的這款電路。盡管此解決方案的輸出噪聲極低，但其輸出功率受到了一定程度的限制。

例如，在R_load=2k且LED（歐司朗超亮LED）總電流為2*5=10mA的情況下，該光電池的最佳輸出超過0.81V，達到了我的使用要求。為此，又設計出了圖一所示的后續(xù)電路。實用時，對于較為簡單的地方低壓低噪聲負電源應用，可選用以上兩種電路。

第二款電路以對稱多諧振蕩器為基礎，相較于運用光電池的方案，它的效率顯著提升，但輸出噪聲有所增長。因此，在部分功耗有限的場景中，此方案更為適用。

圖1實現(xiàn)運算放大器真零輸出的第二種電路，該電路基于對稱多諧振蕩器，與之前的光電池設計思路相比具有更高的效率。

雙肖特基屏蔽晶體管 BAR43A 發(fā)揮了全波整流器作用，其對稱特性降低了輸出噪聲中的多諧振動頻率水平。而該電路在保持原有的對稱特性外，還增加了一系列防護措施，使之可以承受短路的風險，同時仍保持電流供給。

值得注意的是，幾乎所有的現(xiàn)代 NPN BJT （雙極結型晶體管） 都具備大約 5 - 7V 的低 Vebo （反向擊穿電壓）。這一參數(shù)對對稱多諧振蕩器中的 BJT 尤為關鍵。若使用 5V 供電電路，建議選配最大 Vebo 不低于 6V 的晶體管，如 BC547、2N5551、MPS2222A 等。如今，像 2SC3616 （NEC） 這類 Vebo 電壓高達 15V 的器件已逐漸不再流行，因此想要在電路中應對更大電壓，就需要選擇柵極-源極電壓最高可達 20V 的 MOSFET。

以下為電路配置詳情：R1=R1′=5.6k，R2=R2′=30k，C1=C1′=0.1μF。輸出電容的阻抗應當盡量低。此處的頻率無法直接套用以知的對稱多諧振蕩器公式得出準確結果，據測試，該頻率大概在 2*0.65=1.3KHz左右。

電路運行在+5V時，消耗電流不到1.5mA，可在910Ω的負載上產生極為穩(wěn)定的-0.3V的輸出電壓。