磁場

與普通光電倍增管(PMT)的使用相比，微通道板(Microchannel Plate，MCP)受到磁場的影響比較小。磁場對MCP使用影響的大小取決于磁場與MCP通道軸之間的方向。圖1顯示了不同磁場方向的磁場大小對MCP輸出變化的影響，測試時通過使用紫外線照射MCP，然后在遠離MCP輸出端3mm的地方放置陽極來測量其輸出信號。

可以看到，當磁場垂直于MCP通道軸時，隨著磁場強度的增大，電子轟擊能量降低，電子軌跡的飛行范圍縮短，電子轟擊能量減小。在這種情況下，從MCP發(fā)射出的一些電子無法到達陽極并可能重新返回到MCP，從而降低了陽極處的收集效率。并且當陽極電壓較低或和MCP陽極的距離較長時，這種效應的影響程度會更加顯著。

當磁場方向平行于MCP通道的軸時，電子的軌跡沿著磁場旋轉。電子的平均飛行范圍變大，同時增加了沖擊能量，導致增益的增加。然而，當磁場明顯增大時，由于與旋轉半徑的關系，電子的飛行范圍開始縮短，并導致增益的減小。所以，如果MCP必須在磁場中工作時，MCP通道軸應優(yōu)先選擇與磁場的方向平行。

圖1 磁特性變化曲線

當MCP必須在高于1 T(特斯拉)的強磁場中工作時，我們可以選擇小通道直徑的MCP，并將其通道軸與磁場平行。即使在高達2 T的磁場中使用，也是沒有任何問題。圖2 為MCP-PMT的磁性特性變化曲線，它里面是一個6 μm通道直徑的兩級MCP。

圖2 MCP-PMT的磁特性曲線

溫度

由于MCP的溫度系數(shù)為負，因此其電阻值隨環(huán)境溫度的升高而減小。MCP本身在工作過程中由于熱量的原因會導致溫度增加，如果在高溫下運行，其電阻會降低。電阻的降低也會產生進一步的焦耳熱，而重復的加熱和電阻的降低過程會導致熱失控，損傷MCP。為了避免這種情況，MCP必須在在-50 °C到+70 °C的溫度范圍內工作。

真空環(huán)境

由于MCP的每級裸片大約在1 kV的高壓下工作，因此需要一個相對較高的真空條件環(huán)境。如果MCP在較低的真空下運行，不僅會引起通道中噪聲的增加，而且會引起壽命的縮短，最壞的情況下，可能會導致MCP的放電。為了避免此問題，在MCP工作時，真空液位應保持在1.3×10-4 Pa或更高。

審核編輯 黃宇