在進(jìn)行多片DDR設(shè)計(jì)的時(shí)候，通常DDR會存在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，下面我們將詳細(xì)介紹一下各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的區(qū)別以以及應(yīng)用場景。

首先我們先介紹一下，當(dāng)只存在一片DDR的時(shí)候通常是采用點(diǎn)對點(diǎn)的連接方式，點(diǎn)對點(diǎn)的布線方式優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，阻抗以及時(shí)序容易控制，適合高速率雙向傳輸。

點(diǎn)到點(diǎn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

菊花鏈（fly_by）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)從CPU開始依次連接到各驅(qū)動(dòng)端，在控制高次諧波干擾方面，菊花鏈的走線效果最好，在實(shí)際布線當(dāng)中我們需要注意使菊花鏈種的分支越短越好，通常分支長度要小于十分之一的信號上升沿時(shí)間，菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有阻抗特性容易控制的特點(diǎn)，通常比較適合高速信號的傳輸，在進(jìn)行多片DDR的處理時(shí)我們應(yīng)該盡可能的選擇菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，但需要注意的是，采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)傳輸信號時(shí)，負(fù)載之間有延時(shí)，信號不能同時(shí)到達(dá)負(fù)載端，所以在此基礎(chǔ)之上在采用此種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的時(shí)候需要留意主控芯片是否支持讀寫平衡，如果不支持讀寫平衡則不可以采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

T點(diǎn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：T點(diǎn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)又叫星型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

T點(diǎn)靠近驅(qū)動(dòng)端：

可以有效的避免時(shí)鐘的不同步問題，容易控制負(fù)載的長度，用于驅(qū)動(dòng)能力比較強(qiáng)的地方，主線越短越好。其缺點(diǎn)是布線難度較大且每條分支都需要端接電阻，終端電阻的阻值應(yīng)該和連線的阻抗相匹配。

T點(diǎn)靠近負(fù)載端：

各個(gè)分支都能平衡，適合負(fù)載較多的時(shí)候使用，此時(shí)傳輸線分支是靠經(jīng)負(fù)載端，在進(jìn)行端接時(shí)處理方式時(shí)只需要一個(gè)端接電阻即可，在進(jìn)行T點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)此種連接方式最為常見，需要注意的是信號的主線和支線的長度，支線應(yīng)該要滿足小于或等于1/3的主線長度，在進(jìn)行T點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)務(wù)必注意此項(xiàng)要求。

DDR的布局多種多樣，例如DDR的正反貼，錯(cuò)開貼，單面布局等，但是所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都是我們上面介紹的這些。

當(dāng)我們設(shè)計(jì)DDR3,DDR4,DDR5時(shí)我們需要注意的是在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇上盡量趨向于菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相對于T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以有效的抑制支路的反射，但是菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的時(shí)鐘信號，地址信號以及控制信號并不能同時(shí)到達(dá)每片DDR，為了解決此問題DDR3引入了時(shí)間補(bǔ)償技術(shù)，通過內(nèi)部調(diào)整實(shí)現(xiàn)信號的同步，根據(jù)仿真以及實(shí)際應(yīng)用的結(jié)果來看菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)更適合傳輸高速信號，更能滿足信號的完整性要求。