HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。

HBM通過與處理器相同的“Interposer”中間介質層與計算芯片實現(xiàn)緊湊連接，一方面既節(jié)省了芯片面積，另一方面又顯著減少了數(shù)據(jù)傳輸時間；此外HBM采用TSV工藝進行3D堆疊，不僅顯著提升了帶寬，同時降低了功耗，實現(xiàn)了更高的集成度。

HBM性能遠超GDDR,成為當前GPU存儲單元理想解決方案。GPU顯存一般采用GDDR或者HBM兩種方案，但HBM性能遠超GDDR。

根據(jù)AMD數(shù)據(jù)，從顯存位寬來看，GDDR5為32-bit,HBM為其四倍，達到了1024-bit;從時鐘頻率來看，HBM為500MHz，遠遠小于GDDR5的1750MHz;從顯存帶寬來看，HBM的一個stack大于100GB/s,而GDDR5的一顆芯片才25GB/s,所以HBM的數(shù)據(jù)傳輸速率遠遠高于GDDR5。

從空間利用角度來看，HBM由于與GPU封裝在一塊，從而大幅度減少了顯卡PCB的空間，而GDDR5芯片面積為HBM芯片三倍，這意味著HBM能夠在更小的空間內，實現(xiàn)更大的容量。因此，HBM可以在實現(xiàn)高帶寬和高容量的同時節(jié)約芯片面積和功耗，被視為GPU存儲單元理想解決方案。

在高性能GPU需求推動下，HBM目前已經(jīng)成為AI服務器的搭載標配。AI大模型的興起催生了海量算力需求，而數(shù)據(jù)處理量和傳輸速率大幅提升使得AI服務器對芯片內存容量和傳輸帶寬提出更高要求。

HBM具備高帶寬、高容量、低延時和低功耗優(yōu)勢，目前已逐步成為AI服務器中GPU的搭載標配。英偉達推出的多款用于AI訓練的芯片A100、H100和H200,都采用了HBM顯存。

其中，A100和H100芯片搭載了40GB的HBM2e和80GB的HBM3顯存，最新的H200芯片搭載了速率更快、容量更高的HBM3e。AMD的MI300系列也都采用了HBM3技術，MI300A的容量與前一代相同為128GB,而更高端的MI300X則將容量提升至192GB,增長了50%,相當于H100容量的2.4倍。

HBM市場競爭激烈，HBM產(chǎn)品向低能耗、高帶寬、高容量加速迭代。從2016年第一代HBM1發(fā)布開始，HBM目前已經(jīng)迭代到第五代產(chǎn)品——HBM3e,縱觀五代HBM產(chǎn)品性能變化，可以發(fā)現(xiàn)HBM在帶寬、I/O速率、容量、工藝節(jié)點等方面取得較大突破，其中帶寬由初代的128GB/s迭代至HBM3e的1TB/s,I/O速率由1Gbps迭代至8Gbps,容量從1GB增至最高36GB,制造工藝則取得進一步突破，達到5nm級別。

最新一代HBM3e數(shù)據(jù)處理速度最高可達到1.15TB/s,HBM系列產(chǎn)品的更新迭代將在低能耗、高帶寬、高容量上持續(xù)發(fā)力，以高性能牽引AI技術進一步革新。

HBM產(chǎn)品迭代助力AI芯片性能升級。當?shù)貢r間2023年11月13日，英偉達發(fā)布了首款搭載最先進存儲技術HBM3e的GPU芯片H200。H200作為首款搭載最先進存儲技術HBM3e的GPU,擁有141GB顯存容量和4.8TB/s顯存帶寬，與H100的80GB和3.35TB/s相比，顯存容量增加76%,顯存帶寬增加43%。

盡管GPU核心未升級，但H200憑借更大容量、更高帶寬的顯存，依舊在人工智能大模型計算方面實現(xiàn)顯著提升。根據(jù)英偉達官方數(shù)據(jù)，在單卡性能方面，H200相比H100,在Llama2的130億參數(shù)訓練中速度提升40%,在GPT-3的1750億參數(shù)訓練中提升60%,在Llama2的700億參數(shù)訓練中提升90%;在降低能耗、減少成本方面，H200的TCO(總擁有成本)達到了新水平，最高可降低一半的能耗。

HBM市場目前被三大原廠占據(jù)，其中海力士份額領先，占據(jù)HBM市場主導地位。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，三大原廠海力士、三星、美光2022年HBM市占率分別為50%、40%、10%。2023年年初至今，生成式AI市場呈爆發(fā)式增長，大模型參數(shù)量、預訓練數(shù)據(jù)量攀升，驅動AI服務器對高帶寬、高容量的HBM需求迅速增加。

作為最先開發(fā)出HBM芯片的海力士，在AIGC行業(yè)迅速發(fā)展背景下得以搶占先機，率先實現(xiàn)HBM3量產(chǎn)，搶占市場份額。2023年下半年英偉達高性能GPUH100與AMD MI300將搭載海力士生產(chǎn)的HBM3,海力士市占率將進一步提升，預計2023年海力士、三星、美光市占率分別為53%、38%、9%。

TSV技術通過垂直堆疊多個DRAM,能顯著提升存儲容量、帶寬并降低功耗。TSV(硅通孔)技術通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，并通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)。

作為實現(xiàn)3D先進封裝的關鍵技術之一，對比wire bond疊層封裝，TSV可以提供更高的互連密度和更短的數(shù)據(jù)傳輸路徑，因此具有更高的性能和傳輸速度。隨著摩爾定律放緩，芯片特征尺寸接近物理極限，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進封裝。目前DRAM行業(yè)中，3D-TSVDRAM和HBM已經(jīng)成功生產(chǎn)TSV,克服了容量和帶寬的限制。

TSV為HBM核心工藝，在HBM3D封裝成本中占比約30%。根據(jù)SAMSUNG,3D TSV工藝較傳統(tǒng)POP封裝形式節(jié)省了35%的封裝尺寸，降低了50%的功耗，并且對比帶來了8倍的帶寬提升。對4層存儲芯片和一層邏輯裸芯進行3D堆疊的成本進行分析，TSV形成和顯露的成本合計占比，對應99.5%和99%兩種鍵合良率的情形分別為30%和28%,超過了前/后道工藝的成本占比，是HBM3D封裝中成本占比最高的部分。

TSV技術主要涉及深孔刻蝕、沉積、減薄拋光等關鍵工藝。TSV首先利用深反應離子刻蝕(DRIE)法制作通孔；然后使用化學氣相沉積(PECVD)的方法沉積制作介電層、使用物理氣相沉積(PVD)的方法沉積制作阻擋層和種子層；再選擇電鍍銅(Cu)進行填孔；最后使用化學和機械拋光(CMP)法去除多余的銅。另外，由于芯片堆疊集成的需要，在完成銅填充后，還需要晶圓減薄和鍵合。

HBM多層堆疊結構提升工序步驟，帶動封裝設備需求持續(xù)提升。(1)前道環(huán)節(jié)：HBM需要通過TSV進行垂直方向連接，增加了TSV刻蝕設備需求，同時HBM中TSV、微凸點、硅中介層等工藝大量增加了前道工序，給前道檢、量測設備帶來增量；(2)后道環(huán)節(jié)：HBM堆疊結構增多，要求晶圓厚度不斷降低，這意味著對減薄、鍵合等設備的需求提升；HBM多層堆疊結構依靠超薄晶圓和銅銅混合鍵合工藝增加了對臨時鍵合/解鍵合等設備的需求；(3)各層DRAM Die的保護材料也非常關鍵，對注塑或壓塑設備提出了較高要求。

審核編輯：湯梓紅