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昕感科技推出超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-01-04 14:37 ? 次閱讀
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近日,昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破,推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品(N2M120007PP0)。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達到了驚人的7mΩ,電壓規(guī)格為1200V,將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。

昕感科技始終致力于提升國產(chǎn)碳化硅器件的性能,此次推出的新品基于車規(guī)級工藝平臺,采用了先進的結(jié)構(gòu)和制造工藝。該產(chǎn)品不僅具有出色的電氣性能,還兼容18V柵壓驅(qū)動,并配備了TO-247-4L Plus封裝,進一步提升了其在高壓大電流環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。

隨著新能源汽車市場的不斷擴大,對高性能、低損耗的功率半導(dǎo)體開關(guān)需求日益迫切。昕感科技的新品瞄準(zhǔn)了這一市場痛點,將為新能源汽車的主驅(qū)等關(guān)鍵應(yīng)用提供強有力的支持。通過降低損耗、提高效率,這款新產(chǎn)品將助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速更新?lián)Q代,為實現(xiàn)國家“碳達峰、碳中和”目標(biāo)作出積極貢獻。

作為國內(nèi)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),昕感科技將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動的理念,不斷突破技術(shù)瓶頸,推出更多高性能、高可靠性的產(chǎn)品。我們相信,在昕感科技的努力下,新能源領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀用篮玫奈磥怼?/p>

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