91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅外延晶片領(lǐng)軍企業(yè)瀚天天成沖刺上交所IPO

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-01-26 16:29 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

瀚天天成電子科技(廈門(mén))股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瀚天天成”)已順利獲得上交所科創(chuàng)板的IPO受理,此次IPO由中金公司擔(dān)任保薦機(jī)構(gòu)。瀚天天成成立于2011年,是一家中美合資企業(yè),專(zhuān)注于碳化硅外延晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。目前,公司擁有月產(chǎn)能約4萬(wàn)片的外延晶片生產(chǎn)線,且已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。

瀚天天成的實(shí)際控制人是趙建輝先生,他不僅持有公司控股股權(quán),還一直擔(dān)任公司的董事長(zhǎng)。趙建輝先生的領(lǐng)導(dǎo)力和視野為瀚天天成的穩(wěn)健發(fā)展提供了重要支持。

此次申請(qǐng)科創(chuàng)板上市,瀚天天成計(jì)劃公開(kāi)發(fā)行股票不超過(guò)4315萬(wàn)股,并計(jì)劃募集超過(guò)35億元的資金。這些資金將主要用于SiC外延晶片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目和技術(shù)中心建設(shè)項(xiàng)目的投資。通過(guò)這些投資,瀚天天成將進(jìn)一步提高其碳化硅外延晶片的產(chǎn)能和技術(shù)水平,以滿(mǎn)足市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求。

作為國(guó)內(nèi)碳化硅外延晶片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),瀚天天成的IPO申請(qǐng)獲得受理無(wú)疑將引起市場(chǎng)的廣泛關(guān)注。此次成功上市將為其未來(lái)的發(fā)展提供強(qiáng)大的資金支持,推動(dòng)公司在碳化硅外延晶片市場(chǎng)的發(fā)展中取得更大的突破和成就。同時(shí),瀚天天成的成功上市也將進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用拓展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30816

    瀏覽量

    264785
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3480

    瀏覽量

    52437
  • 瀚天天成
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    9

    瀏覽量

    2373
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能?這是我們幾十年來(lái)一直在追問(wèn)的問(wèn)題,同時(shí)我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——因?yàn)槲覀冎老乱淮?b class='flag-5'>碳化硅 (SiC) 器件技術(shù)正依賴(lài)于此。
    的頭像 發(fā)表于 02-11 15:03 ?218次閱讀
    200mm<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底厚度與<b class='flag-5'>外延</b>厚度的多維度影響

    破局300mm!Wolfspeed碳化硅晶圓取得關(guān)鍵突破

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 美國(guó)東部時(shí)間2026年1月13日,全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)企業(yè)Wolfspeed公司宣布成功制造出單晶300毫米(12英寸)
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:29 ?1592次閱讀

    高純熱壓碳化硅陶瓷外延基座的性能優(yōu)勢(shì)與制造工藝解析

    高純度熱壓燒結(jié)碳化硅陶瓷外延生長(zhǎng)基座是半導(dǎo)體制造和先進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵部件,廣泛應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和分子束外延(MBE)等工藝中。該基座在高溫、腐蝕性及高真空環(huán)境下支撐襯底
    的頭像 發(fā)表于 01-12 17:46 ?1878次閱讀
    高純熱壓<b class='flag-5'>碳化硅</b>陶瓷<b class='flag-5'>外延</b>基座的性能優(yōu)勢(shì)與制造工藝解析

    12英寸碳化硅外延片突破!外延設(shè)備同步交付

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 , 短短兩天內(nèi),中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日,廈門(mén)天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅(SiC)外延
    的頭像 發(fā)表于 12-28 09:55 ?1988次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿(mǎn)足全球?qū)稍偕茉?、電?dòng)汽車(chē) (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1815次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測(cè)量對(duì)保障碳化硅器件性
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1824次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?883次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    數(shù)據(jù)中心電源客戶(hù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!三安光電碳化硅最新進(jìn)展

    16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測(cè)的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,外延產(chǎn)能2000片/月,目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線。 ? 其中6英
    發(fā)表于 09-09 07:31 ?2030次閱讀

    從襯底到外延碳化硅材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底:作為整個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?1915次閱讀
    從襯底到<b class='flag-5'>外延</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電器和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7188次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1707次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1219次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1206次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1289次閱讀