武漢新芯集成電路制造有限公司近日公開(kāi)了有關(guān)“半導(dǎo)體器件及其制備方法”的專利授權(quán)信息。該項(xiàng)發(fā)明申請(qǐng)公布號(hào)為CN117577581A，申請(qǐng)公布日期定于2024年2月20日。

在此項(xiàng)專利中，申請(qǐng)人展示了一種新型半導(dǎo)體器件及其制作流程。其主要步驟包括先制備出含有第一鈍化層，第一金屬層和第二鈍化層的半導(dǎo)體基體；接著在第二鈍化層背對(duì)第一鈍化層的一側(cè)表面設(shè)計(jì)并形成可用作掩模的圖案，過(guò)量暴露第一介面的至少局部區(qū)域；然后在掩模圖案遠(yuǎn)離第一鈍化層的另一側(cè)涂設(shè)第二金屬層，使之泛蓋掩模圖案，并且還有部分覆蓋到第一金屬層和掩模圖案暴露出來(lái)的那部分第二鈍化層；接下來(lái)再去除掩模圖案及與之相關(guān)的第二金屬層，最終形成重布線結(jié)構(gòu)。整個(gè)過(guò)程有助于清除不需要的金屬，避免金屬殘余的產(chǎn)生。同時(shí)，由于重布線結(jié)構(gòu)具有良好的均勻厚度，因此既能提高生產(chǎn)效率，又能有效地降低制造成本。