PN8604SE-A1

PN8604SE-B1

01

漏極檢測(cè)及芯片供電耐壓高

漏極檢測(cè)腳耐壓高于220V，支持輸出電壓58V以上應(yīng)用。

VDD耐壓高于35V，輸出電壓28V以?xún)?nèi)，無(wú)需額外的輔助繞組供電電路，簡(jiǎn)化了變壓器設(shè)計(jì)，節(jié)省成本。

02

雙重措施防止誤開(kāi)通

芯片采用雙路驅(qū)動(dòng)互鎖技術(shù)避免兩路驅(qū)動(dòng)共通損壞系統(tǒng)。

系統(tǒng)起機(jī)階段，芯片內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)電路下拉能力強(qiáng)，避免干擾引起的誤開(kāi)通。

03

電流跟蹤技術(shù)支持500kHz工作

芯片會(huì)根據(jù)功率MOS電流ISD自適應(yīng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓VGS，可在CCM下更快關(guān)斷功率MOS，降低電壓應(yīng)力，支持500kHz高頻化工作。

04

滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)

通過(guò)工業(yè)級(jí)JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11個(gè)測(cè)試項(xiàng)目。

1?為提高系統(tǒng)ESD能力，芯片供電VDD腳外接RC濾波：R1推薦10Ω，C1推薦1uF。

2?建議參照下面的規(guī)則來(lái)設(shè)計(jì)PCB：

①芯片VD/VS/VG腳要靠近對(duì)應(yīng)的MOSFET的漏極、源極和柵極，不與功率走線(xiàn)重疊；

②芯片兩個(gè)VD/VS檢測(cè)通道相互分離，檢測(cè)回路盡可能小；

③MOSFET布局和布線(xiàn)盡量對(duì)稱(chēng)，避免PN8604置于功率回路內(nèi)部。