三星正著手采用MUF技術(shù)來提升其DRAM性能。據(jù)TheElec消息報道，近期該公司針對一款3D堆棧內(nèi)存進行了MR MUF工藝測試，盡管此項技術(shù)在吞吐量上有所提高，但其物理特性卻有所下降。

依照測試結(jié)果，三星認為MUF并不適應(yīng)于HBM，但對于3DS RDIMM卻具有極高的適用性。目前，3DS RDIMM使用的是硅通孔（TSV）技術(shù)，主要服務(wù)于服務(wù)器領(lǐng)域。

MUF為一種在半導(dǎo)體上制作微小孔洞，同時將上下層半導(dǎo)體結(jié)合的技術(shù)。借助這種方式，可以將垂直排列的多個半導(dǎo)體緊密地連接并固定。

此前，三星已在其現(xiàn)有注冊雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）中應(yīng)用了熱壓非導(dǎo)電膜（TC NCF）技術(shù)；相比之下，SK海力士則偏向選用Mass Re-flow Molded Underfill（MR-MUF，即大規(guī)模重新流動模塑填充劑）以制造HBM。

值得注意的是，為防止晶圓彎曲，業(yè)內(nèi)普遍認為選用MUF材質(zhì)可能更為理想。據(jù)悉，SK海力士使用的就是與Namics共同研發(fā)的首選MUF化合物。然而，據(jù)知情人士透露，三星正在與三星SDI聯(lián)合嘗試開發(fā)自家的MUF化合物，且已預(yù)訂相應(yīng)的模壓設(shè)備。

作為全球最大的存儲器制造商，若三星選擇采用MUF技術(shù)，無疑將會推動這一科技成為主流趨勢，從而對全球半導(dǎo)體材料市場產(chǎn)生深遠影響。不過，三星電子當前尚未公開回應(yīng)此事，僅表示“無法確認內(nèi)部技術(shù)戰(zhàn)略”。