91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格下滑,國(guó)際供應(yīng)商仍為主要采購(gòu)源

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-07 09:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)業(yè)內(nèi)人士于今年三月披露,我國(guó)碳化硅(SiC)襯底的售價(jià)正急速下滑,雖然全球其他地區(qū)價(jià)位平穩(wěn)如故。由于境內(nèi)供應(yīng)商間的競(jìng)爭(zhēng)趨烈,過(guò)去多年巋然不動(dòng)的碳化硅襯價(jià)自2024年起呈逐漸下跌之勢(shì)。

據(jù)該知情人士透露,來(lái)自中國(guó)電動(dòng)車生產(chǎn)商及全球各地芯片制造巨頭的訂單,目前無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)碳化硅供應(yīng)商對(duì)產(chǎn)能的需求。部分中國(guó)企業(yè)雖然承諾會(huì)加強(qiáng)本土供應(yīng)鏈采購(gòu),然而出于安全考慮,部分電動(dòng)車制造商未必會(huì)增加本土供應(yīng)比重,因此實(shí)際自給水平或許并未如之前所宣稱的那般樂(lè)觀。

值得注意的是,國(guó)際芯片巨頭諸如意法半導(dǎo)體、英飛凌安森美以及羅姆電子等提供的碳化硅元器件,仍然在中國(guó)市場(chǎng)占據(jù)著舉足輕重的地位。知情者還補(bǔ)充道,國(guó)外汽車品牌或與我國(guó)合作組建的汽車團(tuán)隊(duì)也傾向于從這些供應(yīng)商那里購(gòu)買碳化硅部件。

鑒于我國(guó)碳化硅產(chǎn)能逐步提升,近期一線供應(yīng)商已經(jīng)下調(diào)了售價(jià)高達(dá)近30%。然而相比之下,全球其他地區(qū)的碳化硅襯底價(jià)格依然保持相當(dāng)穩(wěn)定。其中6吋業(yè)內(nèi)主流產(chǎn)品的國(guó)際均價(jià)為750~800美元,與此相對(duì),中國(guó)制造商以往定價(jià)普遍低出5%,然而近期這一差距擴(kuò)大到了大約30%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    74

    文章

    3125

    瀏覽量

    118553
  • 芯片制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    719

    瀏覽量

    30466
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3469

    瀏覽量

    52377
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能?這是我們幾十年來(lái)一直在追問(wèn)的問(wèn)題,同時(shí)我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——因?yàn)槲覀冎老乱淮?b class='flag-5'>碳化硅 (Si
    的頭像 發(fā)表于 02-11 15:03 ?187次閱讀
    200mm<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>厚度與外延厚度的多維度影響

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?805次閱讀

    襯底到外延:碳化硅材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?1857次閱讀
    從<b class='flag-5'>襯底</b>到外延:<b class='flag-5'>碳化硅</b>材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

    摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的邊緣效應(yīng)問(wèn)題,深入分析其產(chǎn)生原因,從樣品處理、測(cè)量技術(shù)改進(jìn)及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法,旨在提高 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性,為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:52 ?1252次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

    探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

    本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 08-23 16:22 ?1418次閱讀
    探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

    摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提
    的頭像 發(fā)表于 08-20 12:01 ?728次閱讀
    【新啟航】探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

    摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程,深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制,通過(guò)理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測(cè)量方法、提升
    的頭像 發(fā)表于 08-18 14:33 ?715次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

    【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析

    本文通過(guò)對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異,深入分析兩者的性價(jià)比,旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù),助力優(yōu)化資源配置。 引言 在
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:55 ?1004次閱讀
    【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析

    碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

    摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問(wèn)題,系統(tǒng)分析異常類型與成因,構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程,并提出針對(duì)性處理方法,旨在提升數(shù)據(jù)異常處理效率,保障碳化硅襯底 TT
    的頭像 發(fā)表于 08-14 13:29 ?1227次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

    激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

    摘要 本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問(wèn)題,深入分析影響測(cè)量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅襯底 TT
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:20 ?1126次閱讀
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查

    摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備,詳細(xì)探討其日常維護(hù)要點(diǎn)與故障排查方法,旨在通過(guò)科學(xué)的維護(hù)管理和高效的故障處理,保障測(cè)量設(shè)備的穩(wěn)定性與測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性,降低設(shè)備故障率,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命
    的頭像 發(fā)表于 08-11 11:23 ?687次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查

    【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問(wèn)題

    摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性,為
    的頭像 發(fā)表于 08-08 11:38 ?966次閱讀
    【新啟航】如何解決<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問(wèn)題

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1195次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    超薄碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:49 ?616次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    引言 在碳化硅襯底加工過(guò)程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:03 ?663次閱讀
    切割進(jìn)給量與<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化