在智能BMS應用中，客戶往往面臨比較多的痛點，其一是低邊MOSFET作開關時會將GND分開，做不到連續(xù)性；其二是在使用高邊MOSFET作開關時其驅(qū)動變得較為復雜。

傳統(tǒng)的設計方案有以下幾種：

使用PMOSFET作為功率開關，優(yōu)點是易于驅(qū)動，缺點是成本較高；

使用專用的高邊開關驅(qū)動，此種方式應用較為廣泛，且比較成熟，但是限于半導體的工藝設計，在高壓電池包中應用受限；

隔離驅(qū)動，優(yōu)點是兼容高低壓的電池包，并且可以阻斷電機剎車時的反電勢。

下面首先介紹基于無錫明芯微電子MX6501T的推挽隔離電源驅(qū)動方案

如上圖所示，QC和QD分別是BMS在高側(cè)應用的充電管和放電管，其驅(qū)動電壓分別由兩路來自于MX6501T的隔離電源產(chǎn)生。而充電管和放電管的驅(qū)動信號分別來自于AFE產(chǎn)生的充放電開關信號CHA-DRV和DIS-DRV，二者在經(jīng)過光耦隔離后利用MX6501T產(chǎn)生的隔離電源進行充放電的開關動作。

MX6501T除了應用于BMS以外，還可以用于光伏逆變、隔離通信、電動工具、汽車電子等領域。

另外，若用戶需要的MOSFET的驅(qū)動能力較小，且對驅(qū)動電壓要求精度不高，可以采用無錫明芯微MX6501T+MXPP8-30-1103套片實現(xiàn)一拖二的12V轉(zhuǎn)12V隔離驅(qū)動方案或者MX6501T+MXPP8-30-1250套片實現(xiàn)一拖二的5V轉(zhuǎn)12V隔離驅(qū)動方案，原理圖如下所示：

審核編輯 黃宇