納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn)，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升

加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，以滿足未來12-18個(gè)月內(nèi)呈最高3倍指數(shù)級(jí)增長的AI系統(tǒng)功率需求。

傳統(tǒng)CPU通常只需300W的功率支持，而數(shù)據(jù)中心的AC-DC電源通常可為功率10倍于傳統(tǒng)CPU（即3000W）的應(yīng)用供電。如NVIDIA的“Grace Hopper” H100等的高性能AI處理器，每顆的功率需求達(dá)700W，而預(yù)計(jì)明年下一代“Blackwell” B100和B200芯片的功率需求將增加到1000W或更多。為應(yīng)對這種指數(shù)級(jí)的功率需求提升，納微半導(dǎo)體正持續(xù)開發(fā)新的服務(wù)器電源平臺(tái)，將電源功率水平從3kW迅速提升到10kW。

2023年8月，納微半導(dǎo)體推出一款利用最新氮化鎵技術(shù)打造的3.2kW數(shù)據(jù)中心電源平臺(tái)，其功率密度接近100W/in3且效率超過96.5%。近期，納微將發(fā)布一款全新的4.5kW電源平臺(tái)，通過將氮化鎵技術(shù)和碳化硅技術(shù)相結(jié)合，將功率密度推至135W/in3以上，效率超過97%。

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這兩款平臺(tái)已引起市場的極大興趣，目前有超過20個(gè)數(shù)據(jù)中心客戶項(xiàng)目正在開發(fā)中，預(yù)計(jì)從今年開始將帶來數(shù)百萬美元的氮化鎵或碳化硅收入。此外，納微還宣布計(jì)劃在2024年底推出8 - 10kW的電源平臺(tái)，以滿足2025年的AI系統(tǒng)功率要求。該平臺(tái)將利用更新的氮化鎵和碳化硅技術(shù)，以及在架構(gòu)上的進(jìn)一步延伸，為數(shù)據(jù)中心電源的功率密度和效率，樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，幫助數(shù)據(jù)中心客戶縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。

目前，納微已經(jīng)與主要的數(shù)據(jù)中心客戶完成接洽，預(yù)計(jì)在24年第四季度推出完整的電源平臺(tái)，僅12至18個(gè)月即可滿足3倍功率需求的提升。

納微半導(dǎo)體專有的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用團(tuán)隊(duì)正在開展這些系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以應(yīng)對AI數(shù)據(jù)中心功率需求的急劇增加，并協(xié)助客戶快速有效地部署這些平臺(tái)，以滿足AI飛速發(fā)展過程中客戶對產(chǎn)品上市速度的高要求。納微的系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括完整的設(shè)計(jì)資料，經(jīng)全面測試的硬件、原理圖、材料清單、布局、仿真和硬件測試結(jié)果，以保證最大限度地實(shí)現(xiàn)“一次就成功設(shè)計(jì)”并幫助客戶快速取得收益。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan

“AI技術(shù)的快速進(jìn)化和全面應(yīng)用，為數(shù)據(jù)中心及相關(guān)行業(yè)帶來了前所未有的嚴(yán)峻功率挑戰(zhàn)。納微在先進(jìn)的氮化鎵和碳化硅技術(shù)上已有大量投入，結(jié)合我們專有的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用團(tuán)隊(duì)出色且專業(yè)的能力，為我們在市場挑戰(zhàn)中搶占了高地。

納微團(tuán)隊(duì)已做好全面準(zhǔn)備來迎接這一挑戰(zhàn)，我們的目標(biāo)是在不到18個(gè)月的時(shí)間里為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，實(shí)現(xiàn)3倍的功率的突破飛升?！?/p>