需要根據(jù)數(shù)據(jù)手冊，完善最小系統(tǒng)的外圍電路，使芯片能夠正常工作（以STM32F412RET6為例）

一、供電部分

根據(jù)圖片所示，需要注意的地方如下：1、VBAT引腳需要提供1.65v-3.6v的電源。最好在VBAT引腳與GND之間接一個100nf的電容2、VCAP_1和VCAP_2引腳與GND之間需要接一個2.2uf的電容3、VSS引腳需要接地即GND4、每個VDD引腳與VSS引腳(GND)之間需要接一個100nf的電容，特別注意:The 4.7 μF ceramic capacitor must be connected to one of the VDD pin，也就是說需要在任意一個VDD引腳與VSS(GND)引腳上接一個4.7uf的電容5、VSSA引腳需要接地即GND6、VDDA引腳、VSSA引腳(GND)之間需要接一個100nf的電容以及一個1uf的電容二、復(fù)位、下載及通信部分

三、晶振部分1查看參考手冊

進(jìn)入https://www.st.com網(wǎng)址，搜索STM32F412RET6芯片，查看相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊

2OSC32和OSC的區(qū)別

OSC32用于RTC和AWU，OSC用于SYSCLK

3晶振兩端電容的選擇

晶體兩端電容的取值可以按照MCU數(shù)據(jù)手冊上來選擇，選擇8MHZ的晶振和2個5pf~25pf的電容，也可以通過計算來得出電容容值的大小。

CL = C1 * C2 / (C1 + C2) + CS

CS為電路板的寄生電容，一般取3~5pf，取C1 = C2，則公式可以簡化為：

CL = C1 / 2 + CS

CL為晶體的負(fù)載電容，晶體對應(yīng)的數(shù)據(jù)手冊有提供，比如現(xiàn)在所選擇的晶體（8M封裝為SMD3225-4P）的負(fù)載電容為16pf，計算的結(jié)果為22~26pf

要是對頻率要求比較嚴(yán)格的話需要通過示波器測試波形（一般的示波器探頭自身帶有幾pF的寄生電容可能無法正確測量，有條件的話可以選用有源探頭進(jìn)行測量）。4晶振接線

一般情況下：

1號引腳接OSC_IN

3號引腳接OSC_OUT

2號和4號引腳接地

四、串口部分USART1一般作為調(diào)試口用排針引出來（比如：無線串口的RX和TX），不作為其他元器件的通信串口。