意法半導(dǎo)體（ST）近日宣布，公司成功研發(fā)出基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)，并整合了嵌入式相變存儲器（ePCM）的先進制造工藝。這項新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體與三星晶圓代工廠共同研發(fā)的成果，旨在推動下一代嵌入式處理器的升級進化。

據(jù)悉，該新工藝技術(shù)不僅實現(xiàn)了嵌入式處理應(yīng)用性能和功耗的巨大飛躍，而且能夠集成更大容量的存儲器和更多的模擬及數(shù)字外設(shè)，為嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計和應(yīng)用帶來了更廣闊的可能性。

基于這項新技術(shù)的下一代STM32微控制器的首款產(chǎn)品將于2024年下半年開始向部分客戶提供樣片，預(yù)計于2025年下半年正式投入生產(chǎn)。這一舉措無疑將加速嵌入式處理器市場的發(fā)展，為相關(guān)行業(yè)帶來更多創(chuàng)新和機遇。

此次意法半導(dǎo)體的新工藝技術(shù)的發(fā)布，再次證明了公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的強大研發(fā)實力和技術(shù)創(chuàng)新能力。未來，我們期待意法半導(dǎo)體能夠繼續(xù)推出更多具有創(chuàng)新性和實用性的產(chǎn)品，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入更多動力。