SK Siltron獲美政府投資，擴(kuò)大碳化硅晶圓廠產(chǎn)能
自SK集團(tuán)分支SK Siltron起為韓唯一半導(dǎo)體晶圓制造商，如今已躋身世界第五大硅晶圓制造行列。本司業(yè)務(wù)涵蓋韓國本土及美西兩地，致力于發(fā)展SiC與GaN晶圓技術(shù)。
令人矚目的是，SK Siltron近期獲得來自美國政府的總價(jià)值約7700萬美元的支持，其中包括投資補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠，這使得我們得以在下一階段投資密歇根州的碳化硅（SiC）晶圓工廠。
此外，SK Siltron的美國子公司SK Siltron CSS于今年二月份成功獲得美國能源部的5400萬美元貸款支持。
SK Siltron CSS計(jì)劃利用上述資金，預(yù)計(jì)至2027年完成灣城工廠的擴(kuò)建工程。目前，該公司正專注于在美國生產(chǎn)電動汽車和儲能系統(tǒng)（ESS）所需的SiC晶圓，并在貝城運(yùn)營一座工廠。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30800瀏覽量
264694 -
晶圓工廠
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
29瀏覽量
8604 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3478瀏覽量
52421
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響
我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能？這是我們幾十年來一直在追問的問題，同時(shí)我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——因?yàn)槲覀冎老乱淮?b class='flag-5'>碳化硅 (SiC) 器件技術(shù)正依賴于此。
簡單認(rèn)識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)商以及分銷商，產(chǎn)品
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑，可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo)，其精確測量對保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
![[新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中，我們
數(shù)據(jù)中心電源客戶已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)！三安光電碳化硅最新進(jìn)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?三安半導(dǎo)體在近期發(fā)布的中報(bào)里公開了不少關(guān)于碳化硅業(yè)務(wù)的新進(jìn)展，包括器件產(chǎn)品、客戶導(dǎo)入、產(chǎn)能等信息。 ? 在產(chǎn)能方面，湖南三安在職員工1560人，已經(jīng)擁有6英寸碳化硅
發(fā)表于 09-09 07:31
?2029次閱讀
碳化硅在電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用
今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
博世碳化硅技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道，小編表示地鐵、老人、手機(jī).jpg，火速去內(nèi)部打探消息——結(jié)果只想說一句：別慌，博世還在，且蓄勢待發(fā)！這樣精彩的舞臺，怎會少了博世這位心動嘉賓。
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
發(fā)表于 06-25 09:13
碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響
對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從
碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論