三星第九代V-NAND 1TB TLC量產(chǎn)，密度提升逾50%
據(jù)悉，三星半導(dǎo)體近日宣布已成功實(shí)現(xiàn)第九代V-NAND1Tb TLC產(chǎn)品的量產(chǎn)，其單位面積內(nèi)存儲量較前代產(chǎn)品大幅提升了約50%。這一成績得益于先進(jìn)的通道孔蝕刻技術(shù)，大幅度提升了生產(chǎn)效率。
第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計(jì)，將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。
據(jù)行業(yè)內(nèi)部人士透露，三星計(jì)劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，有望達(dá)到430層，從而進(jìn)一步提升NAND的密度，鞏固并擴(kuò)大其市場領(lǐng)導(dǎo)地位。
市場研究機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測，盡管NAND閃存市場在2023年出現(xiàn)37.7%的下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來38.1%的反彈式增長。為在這一快速發(fā)展的市場中搶占先機(jī)，三星承諾加大對NAND業(yè)務(wù)的投入力度。
早前，IT之家曾報(bào)道，三星高層表示，公司的長遠(yuǎn)目標(biāo)是在2030年前研發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以實(shí)現(xiàn)更高的密度和存儲能力。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1757瀏覽量
141088 -
云計(jì)算
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
8024瀏覽量
144483 -
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1817文章
50115瀏覽量
265573
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
每塊GPU對應(yīng)16TB SSD，英偉達(dá)KV緩存虹吸高性能TLC SSD
額外配置16TB TLC SSD，花旗預(yù)計(jì)2026年、2027年將分別帶來占全球NAND需求總量2.8%、9.3%的新增需求。 ? 三星電子在 2025Q4 財(cái)報(bào)電話會議上透露，除了計(jì)
今日看點(diǎn)：鎧俠：300元1TB SSD時(shí)代結(jié)束；蘇大維格：常州維普產(chǎn)品已進(jìn)入頭部晶圓廠和掩膜版廠商量產(chǎn)線
鎧俠：300元1TB SSD時(shí)代結(jié)束 日前，鎧俠存儲器事業(yè)部執(zhí)行董事中戸浩介（Shunsuke Nakato）在韓國接受采訪時(shí)表示花7000日元就買到1TB SSD時(shí)代已經(jīng)結(jié)束了，而且這波AI誘發(fā)
發(fā)表于 01-22 17:54
?903次閱讀
三星2nm良率提升至50%，2027年前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利可期
據(jù)報(bào)道，三星電子第一代2nm GAA制程（SF2）良率已穩(wěn)定在50%，該數(shù)據(jù)也通過其量產(chǎn)的Exynos 2600處理器得到印證。
三星貼片電容封裝尺寸對布局密度的影響
了元件排列密度、走線空間及散熱效率，成為優(yōu)化布局密度的關(guān)鍵變量。 一、封裝尺寸與元件排列密度：小尺寸實(shí)現(xiàn)指數(shù)級提升 三星貼片電容的封裝尺寸每
PCIe 5.0 8TB SSD挺進(jìn)消費(fèi)級市場
固態(tài)硬盤9100 PRO系列。三星 9100 PRO 8TB采用了 PCIe 5.0 x4 接口設(shè)計(jì)，支持 NVMe 2.0 協(xié)議，搭配三星自研控制器、三星
三星COG材質(zhì)電容的耐壓值是多少?
三星COG材質(zhì)電容的耐壓值通常覆蓋6.3V至500V，常見規(guī)格包括50V、100V、250V及5
第九屆集創(chuàng)賽全國總決賽“紫光同創(chuàng)杯”圓滿落幕
近日，第九屆全國大學(xué)生集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽（簡稱“第九屆集創(chuàng)賽”）全國總決賽在上海臨港圓滿落幕。第九屆集創(chuàng)賽覆蓋集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈，報(bào)名隊(duì)伍超過7400支，參賽師生逾20000人，參與高
PCIe 8.0 規(guī)范公布：1TB/s 帶寬、256GT/s 速率
將使速率在 PCIe 7.0 的基礎(chǔ)上翻倍至 256.0 GT/s，通過 x16 配置實(shí)現(xiàn) 1TB/s 的雙向帶寬。 ? 從 PCI-SIG 目前公布的細(xì)節(jié)來看，PCIe 8.0 首先實(shí)現(xiàn)了速度的提升
鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣
融合現(xiàn)有存儲單元與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲器已開始送樣 （
發(fā)表于 07-28 15:30
?729次閱讀
今日看點(diǎn)丨NAND Flash Q3將漲價(jià)超15%；阿斯麥警告 2026 年增長目標(biāo)堪憂；蘋果折疊手機(jī)將采用三星無折痕方案
1、NAND Flash第三季度將漲價(jià)超15% 據(jù)業(yè)界最新預(yù)測，第三季NAND Flash漲價(jià)已成定局，其中，512Gb以下產(chǎn)品預(yù)估漲幅超過
發(fā)表于 07-17 10:13
?2902次閱讀
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日報(bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
發(fā)表于 04-18 10:52
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論