據(jù)美國媒體報道，現(xiàn)代 DRAM 內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德已于 2024 年 4 月 23 日去世，享年 91 歲。

登納德生于 1932 年 9 月 5 日，成長于美國得克薩斯州特雷爾。他于 1958 年獲卡內(nèi)基理工學(xué)院電氣工程博士學(xué)位，隨后加入 IBM 任研究員。

在 1960 年代，計算機對內(nèi)存的需求不斷增長，而當(dāng)時主流的磁芯內(nèi)存因密度、成本、性能等因素面臨瓶頸。

登納德當(dāng)時在 IBM 研發(fā)金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）內(nèi)存，然而該方案存在速度緩慢、芯片面積過大等問題。

一次偶然的機會，登納德靈光一閃，想到利用單個晶體管中的電容正負(fù)極來記錄數(shù)據(jù)，并通過反復(fù)充電實現(xiàn)數(shù)據(jù)動態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。

IBM 和登納德于 1968 年取得 DRAM 專利，這項技術(shù)于 1970 年投產(chǎn)后，憑借低成本、低功耗、結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點迅速取代磁芯內(nèi)存，推動了信息通信技術(shù)的飛速發(fā)展。

DRAM 內(nèi)存與首批低成本微處理器共同推動了計算機小型化進程，使得如 Apple II 這樣的早期個人電腦在商業(yè)上取得巨大成功，也為如今的移動設(shè)備市場開辟了道路。

此外，登納德還提出了著名的登納德縮放定律，即隨著制程工藝的提高，半導(dǎo)體芯片的功耗密度保持不變。這一定律在半導(dǎo)體行業(yè)影響深遠(yuǎn)，被譽為半導(dǎo)體行業(yè)的三大定律之一。