91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項目

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-10 16:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導(dǎo)體材料團隊執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項目做了詳細介紹。

據(jù)了解,此次簽約項目涉及鋰電池、半導(dǎo)體等新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。V觀澠池報道稱,該項目總投資額達10億元人民幣,包括年產(chǎn)2.5萬片碳化硅導(dǎo)電型襯底加工產(chǎn)業(yè)化項目以及年產(chǎn)40萬片砷化鎵晶體及襯底加工制造項目。

前者將建設(shè)6/8英寸碳化硅襯底研發(fā)及生產(chǎn)線,實現(xiàn)2.5萬片的綜合產(chǎn)能;后者則計劃占地1.2萬平方米,建設(shè)砷化鎵晶體及襯底加工的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用生產(chǎn)線及相關(guān)配套設(shè)施。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30751

    瀏覽量

    264342
  • 砷化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    179

    瀏覽量

    20296
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3469

    瀏覽量

    52369
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    襯底到外延:碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?1852次閱讀
    從<b class='flag-5'>襯底</b>到外延:<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>材料</b>的層級躍遷與功能分化

    碳化硅襯底 TTV 厚度測量技術(shù)的最新發(fā)展趨勢與未來展望

    摘要 本文聚焦碳化硅襯底晶圓總厚度變化(TTV)厚度測量技術(shù),剖析其在精度提升、設(shè)備小型及智能測量等方面的最新發(fā)展趨勢,并對未來在新興應(yīng)用領(lǐng)域的拓展及推動
    的頭像 發(fā)表于 09-01 11:58 ?1023次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量技術(shù)的最新發(fā)展趨勢與未來展望

    碳化硅襯底 TTV 厚度測量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

    摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的邊緣效應(yīng)問題,深入分析其產(chǎn)生原因,從樣品處理、測量技術(shù)改進及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法,旨在提高 TTV 測量準(zhǔn)確性,為碳化硅半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:52 ?1249次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

    探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-23 16:22 ?1418次閱讀
    探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-20 12:01 ?727次閱讀
    【新啟航】探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結(jié)果的影響研究

    理論依據(jù)。 引言 在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅襯底的質(zhì)量對芯片性能和良率起著決定性作用,晶圓總厚度變化(TTV)作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 08-18 14:33 ?712次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量中表面粗糙度對結(jié)果的影響研究

    【新啟航】國產(chǎn) VS 進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析

    本文通過對比國產(chǎn)與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異,深入分析兩者的性價比,旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機構(gòu)選購測量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù),助力優(yōu)化資源配置。 引言 在
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:55 ?1003次閱讀
    【新啟航】國產(chǎn) VS 進口<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量儀的性價比分析

    碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

    ,為半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定運行提供支持。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體制造過程中,TTV 厚度測量數(shù)據(jù)是評估襯底質(zhì)量的關(guān)鍵依據(jù)。然而,受測量設(shè)備性能波動、環(huán)境變化、樣品特性
    的頭像 發(fā)表于 08-14 13:29 ?1225次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

    激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

    提供理論與技術(shù)支持。 引言 隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛,晶圓總厚度變化(TTV)作為關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo),其精確測量至關(guān)重要。激光干涉法
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:20 ?1120次閱讀
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量中的精度提升策略

    【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準(zhǔn)確性與可靠性,為
    的頭像 發(fā)表于 08-08 11:38 ?964次閱讀
    【新啟航】如何解決<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1194次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    碳化硅襯底切割進給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

    支撐。 一、引言 碳化硅憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能,成為第三代半導(dǎo)體材料的核心。在其襯底加工環(huán)節(jié),切割是關(guān)鍵工序。切割進給量直接影響切割效率與材料
    的頭像 發(fā)表于 06-25 11:22 ?746次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>切割進給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1319次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案

    切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進行工藝優(yōu)化,對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:03 ?661次閱讀
    切割進給量與<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1179次閱讀