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近日，武漢新芯集成電路股份有限公司（以下簡稱“武漢新芯”）在湖北證監(jiān)局披露IPO輔導(dǎo)備案報告，標(biāo)志著武漢新芯正在穩(wěn)步推進(jìn)上市進(jìn)程。

公開資料顯示，成立于2006年4月21日的武漢新芯，是一家專注于NOR Flash存儲芯片的集成電路制造企業(yè)，擁有華中地區(qū)首條12英寸集成電路生產(chǎn)線項目。截至2017年底，武漢新芯NOR Flash晶圓出貨量已超過75萬片，覆蓋從消費類到工業(yè)級、乃至汽車規(guī)范的全部NOR Flash市場，并于當(dāng)年實現(xiàn)扭虧為盈。2020年，武漢新芯宣布，其自主研發(fā)的50納米浮柵式代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片實現(xiàn)全線量產(chǎn)。

本次IPO輔導(dǎo)備案報告顯示，武漢新芯的法定代表人為楊士寧，控股股東為長江存儲科技控股有限責(zé)任公司（持股比例：68.1937%），輔導(dǎo)協(xié)議簽署時間為2024年4月9日，輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為國泰君安證券股份有限公司、華源證券股份有限公司。本輪投資方包括了武漢光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資有限公司、中國銀行、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等30家知名投資機(jī)構(gòu)。

值得注意的是，武漢新芯此前為長江存儲的全資子公司，今年3月初，武漢新芯宣布首度接受外部融資，注冊資本由約57.82億人民幣增至約84.79億人民幣。資料顯示，2月29日，武漢新芯發(fā)生多項工商變更，新增中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金（有限合伙）、中銀金融資產(chǎn)投資有限公司、建信金融資產(chǎn)投資有限公司、農(nóng)銀金融資產(chǎn)投資有限公司等股東。同時，武漢新芯注冊資本由約57.82億人民幣增至約84.79億人民幣，增幅達(dá)46.64%。

分析人士指出，武漢新芯此次啟動IPO，目的是支持長江存儲在關(guān)鍵發(fā)展時期的大規(guī)模擴(kuò)張。目前長存集團(tuán)的體量龐大，要在三年內(nèi)實現(xiàn)上市難度較高，將武漢新芯作為上市主體，也提供了一個可預(yù)見的退出渠道。

或為國內(nèi)首家HBM代工廠

武漢新芯在今年年初還發(fā)布了《高帶寬存儲芯粒先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)》招標(biāo)項目，項目顯示，公司會利用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國產(chǎn)高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)品。擬新增設(shè)備16臺套，擬實現(xiàn)月產(chǎn)出能力>3000片(12英寸)。

國內(nèi)證券機(jī)構(gòu)認(rèn)為，武漢新芯系長江存儲控股子公司，發(fā)布招標(biāo)預(yù)示著長江存儲或其他潛在客戶擁有DRAM產(chǎn)品制造能力，大幅提振了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)化信心。同時，伴隨著Hybrid Bonding技術(shù)的大量使用，有望進(jìn)一步提升先進(jìn)封裝設(shè)備制造企業(yè)的需求。

2018年12月3日，武漢新芯宣布基于其三維集成技術(shù)平臺的三片晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)成功。這標(biāo)志著公司在三維集成技術(shù)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展，能夠?qū)崿F(xiàn)更高密度和更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的芯片集成。

資料顯示，武漢新芯自2012年開始布局三維集成技術(shù)，并于2013年成功將該技術(shù)應(yīng)用于背照式影像傳感器，良品率高達(dá)99%。隨后陸續(xù)推出了硅通孔（TSV）堆疊技術(shù)和混合技術(shù)，還在3D NAND項目上取得了突破性進(jìn)展，第一個具有9層結(jié)構(gòu)的存儲測試芯片通過了存儲器功能的電學(xué)驗證。

2022年時，武漢新芯還正式開始進(jìn)軍物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場，其與樂鑫科技達(dá)成存儲器芯片產(chǎn)品與應(yīng)用方案開發(fā)方面戰(zhàn)略合作，之后武漢新芯在樂鑫科技各大平臺陸續(xù)導(dǎo)入FG 50nM NOR Flash系列產(chǎn)品，包括KGD合封方案及封裝片，其出貨量和銷售額均保持著超150%的年復(fù)合增長率逐年遞增。

目前，武漢新芯在三維集成多晶圓堆疊技術(shù)方面的研發(fā)進(jìn)展主要體現(xiàn)在三片晶圓堆疊技術(shù)的成功研發(fā)、三維集成技術(shù)在背照式影像傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用、高帶寬存儲器領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工作，以及3D NAND項目的突破性進(jìn)展。

國產(chǎn)晶圓代工，成為重點。

隨著國內(nèi)半導(dǎo)體市場不斷發(fā)展，晶圓廠的重要性愈發(fā)凸顯。

據(jù)TrendForce統(tǒng)計，中國目前已建成的晶圓廠有44家（12 英寸晶圓廠 25 座、6 英寸晶圓廠 4 座、8 英寸晶圓廠及產(chǎn)線 15 座），另外還有22家晶圓廠在建（12 英寸晶圓廠 15 座，8 英寸晶圓廠 8 座）。

其中先進(jìn)制程的研發(fā)和生產(chǎn)主要集中于12英寸晶圓廠上，受到手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心、自動駕駛等下游應(yīng)用高速發(fā)展的影響，12英寸晶圓需求量快速上升，逐漸成為行業(yè)主流。此外，生產(chǎn)12英寸晶圓雖然在成本比生產(chǎn)8英寸晶圓高出約50%。但12英寸晶圓的芯片輸出卻幾乎是8英寸晶圓的三倍，實際上每個芯片的成本反而降低了約30%。

可以看到，行業(yè)趨勢正在促使設(shè)備廠商將業(yè)務(wù)重心傾向12英寸。中國也在12英寸晶圓領(lǐng)域迅速擴(kuò)張。除了建成和在建的40座12英寸晶圓廠，中國市場上還有9座正在計劃中。統(tǒng)計中的49座晶圓廠的規(guī)劃產(chǎn)能總計417.3萬片/月。

值得一提的是，目前國內(nèi)10大晶圓廠中，有5家為外企，分別為三星、英特爾、SK海力士、TSMC、聯(lián)芯，而大陸本土的企業(yè)也有5家，分別為中芯國際、華虹、華潤微電子、西安微電子所、武漢新芯。

伴隨著國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展，產(chǎn)能需求日漸增長，這些本土晶圓代工廠也成為了兵家必爭之地。

2012年，當(dāng)時還是美商的豪威（OmniVision）就想要入股武漢新芯，確保代工產(chǎn)能無慮。當(dāng)時武漢新芯和中芯國際剛解除代管關(guān)系，不只是是豪威，美光當(dāng)時也想要運作想要入股。

后來武漢新芯保持股權(quán)獨立，并與豪威合作開發(fā)后段 BSI 技術(shù)，又與飛索 Spansion 合作 NOR Flash 芯片，最后成為中國 3D NAND 存儲芯片的平臺，和長江存儲建立起了深厚的聯(lián)系，推動了國內(nèi)3D NAND 存儲芯片的發(fā)展。

如今武漢新芯推動IPO上市，不止是國產(chǎn)晶圓代工的進(jìn)步，也是為國產(chǎn)HBM打入了一劑強(qiáng)心針。

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審核編輯 黃宇