為快充、功率轉(zhuǎn)換和儲能、電機驅(qū)動等應(yīng)用，打造最安全、最高效、最可靠的功率器件的最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)即將閃耀全球頂尖的電力電子盛會

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺，親自探索下一代行業(yè)領(lǐng)先的氮化鎵和碳化硅方案如何在20W-20MW的快速增長市場和應(yīng)用中提供卓越性能。

作為“電力轉(zhuǎn)換與智能運動”領(lǐng)域的專業(yè)盛會，PCIM今年步入第二十五個年頭，憑借著多年來持續(xù)為電力電子的行業(yè)專家提供國際化交流和展示平臺而享譽全球。

秉承著“Electrify Our World”的使命，納微半導體誠邀觀眾探索“納微芯球”展臺，了解下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)如何為全電氣化交通運輸、AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)壓縮機，馬達和機器人技術(shù)、可再生能源開發(fā)和存儲提供最新的解決方案。每件展品都強調(diào)了如便攜性提高、續(xù)航里程更長、充電速度更快和電網(wǎng)獨立性等對終端用戶帶來的顯著優(yōu)勢，以及低碳的氮化鎵和碳化硅技術(shù)如何在2050年實現(xiàn)每年減少超過60億噸的二氧化碳排放。

納微半導體歐洲區(qū)銷售高級總監(jiān)Alessandro Squeri

“PCIM是電力電子行業(yè)的年度大事件之一。性能互補的GaNFast和GeneSiC產(chǎn)品組合，結(jié)合全面的、針對特定應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計支持，通過可持續(xù)的性能優(yōu)勢有效加速客戶的產(chǎn)品上市時間。

納微展臺即將展示一批令人振奮的最新氮化鎵和碳化硅應(yīng)用，這些應(yīng)用的在研客戶價值達16億美元，是高達220億美元/年的市場機遇的重點部分?！?/p>

在PCIM 2024上，納微半導體帶來以下最新技術(shù)：

安全、可靠的大功率旗艦GaNSafe寬禁帶平臺

創(chuàng)下集成度新高度的第四代GaNSense Half-Bridge半橋氮化鎵功率芯片

為電機驅(qū)動和能量存儲應(yīng)用帶來顛覆性改變的第三代快速GeneSiC功率FETs。

同時，納微半導體還將在PCIM 2024上帶來經(jīng)行業(yè)評審后的精彩技術(shù)分享，包括：

演講

SESSION

“Low-Cost High-Density 300 W / 20 V AC-DC Converter Enabled by GaN Power ICs”

時間與地點：

6月11日，13:00 – 14:30，10.1廳

演講者：

Alfred Hesener，納微半導體工業(yè)應(yīng)用高級總監(jiān)

摘要：

該報告將分享一種300W的高功率密度、低成本AC-DC轉(zhuǎn)換器，其體積僅270cc，峰值效率> 96%。其電路拓撲包括一個兩相交錯式PFC輸入級，一個LLC DC-DC級和一個同步整流輸出級?；诘壒β市酒瓦\行在300 kHz的通用控制器全新設(shè)計，在裝殼后可實現(xiàn)1.1W/cc的功率密度。

論文

PAPER

Evaluation of SiC Devices for Over 500 kHz Application Based on Buck Circuit

時間與地點：

6月12日，15:30 – 17:00，前廳

作者：

賈民立，納微半導體高級主任應(yīng)用工程師

摘要：

本文選擇了三個規(guī)格相似、制造商不同的1200V碳化硅器件進行分析和實驗研究，并設(shè)計了一個輸出功率為3.6kW、開關(guān)頻率為600 kHz的降壓轉(zhuǎn)換器。在相同的工作條件下測試了這三種碳化硅器件的效率和熱，結(jié)果表明具有快速開關(guān)特性和低熱阻的碳化硅器件更適合在高頻轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，GeneSiC 的碳化硅器件是其中的代表。

PCIM 2024將于6月11日-13日在德國紐倫堡展覽中心（Messe Karl-Sch?nleben-Str. Messeplatz 1, 90471 Nürnberg, Germany）盛大舉辦，“納微芯球”展臺位于9號館，展位號544，歡迎大家蒞臨展臺參觀交流。

審核編輯：劉清