日本東芝電子元件與存儲(chǔ)器部門于5月23日宣布了其位于日本廣島縣吳市弓削町的12英寸晶圓功率半導(dǎo)體制造廠及其辦公樓的落成典禮。

東芝透露，目前正致力于相關(guān)設(shè)備的安裝，旨在確保在2024財(cái)年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。一旦全面投產(chǎn)，東芝功率半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品MOSFET和IGBT的產(chǎn)量預(yù)計(jì)將達(dá)到2021財(cái)年投資計(jì)劃的2.5倍。

關(guān)于未來(lái)的第二期建設(shè)和運(yùn)營(yíng)時(shí)間表，將依據(jù)市場(chǎng)狀況作出決策。

據(jù)東芝介紹，新制造廠采用了抗震設(shè)計(jì)和備用電源系統(tǒng)，符合公司的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃（BCP），對(duì)保障公司業(yè)務(wù)連續(xù)性具有重要意義。

此外，在全面投產(chǎn)后，該設(shè)施有望通過(guò)利用可再生能源和建筑屋頂太陽(yáng)能電池板實(shí)現(xiàn)100%的電力自給。