甬矽電子高密度SiP技術(shù)革新5G射頻模組
甬矽電子，一家致力于技術(shù)革新的企業(yè)，近日在高密度SiP技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，為5G射頻模組的開發(fā)和量產(chǎn)注入了新動(dòng)力。
公司成功研發(fā)出先進(jìn)的雙面SiP（DSM-BGA SiP）技術(shù)，將傳統(tǒng)XY平面的芯片與元器件集成技術(shù)提升至Z方向，實(shí)現(xiàn)了SiP模組芯片、元器件、射頻器件的雙面高密度集成整合封裝。這一創(chuàng)新技術(shù)不僅有效減小了模塊體積，更賦予了模組更完善的功能性。
甬矽電子始終堅(jiān)持研發(fā)及技術(shù)創(chuàng)新，不斷在工藝上尋求突破。此次雙面SiP技術(shù)的成功研發(fā)，正是公司技術(shù)實(shí)力的體現(xiàn)。隨著5G技術(shù)的快速發(fā)展，甬矽電子的這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)將助力5G射頻模組實(shí)現(xiàn)更高效、更緊湊的設(shè)計(jì)，開啟數(shù)智新時(shí)代的新篇章。
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