三星電子加緊推進(jìn)eMRAM制程升級，預(yù)計2027年推出5nm工藝?
三星電子日前在韓國舉行的“AI-PIM 研討會”上透露，公司正在按計劃提升 eMRAM 內(nèi)存制造工藝，當(dāng)前已基本完成 8nm eMRAM 的研發(fā)。
作為新一代存儲器，MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲器）利用磁效應(yīng)保存信息，無需頻繁刷新且更加節(jié)能高效。與傳統(tǒng)的 DRAM 相比，MRAM 的寫入速度可達(dá)到 NAND 的 1000 倍，適用于高寫入速率的應(yīng)用場景。
針對嵌入式市場的 eMRAM，三星電子現(xiàn)已具備 28nm eMRAM 的生產(chǎn)能力，并已開始為智能手表等設(shè)備供應(yīng)此類產(chǎn)品。
據(jù)2023 年的報道，三星電子曾宣布計劃于 2024 年量產(chǎn) 14nm eMRAM，2026 年量產(chǎn) 8nm eMRAM，并預(yù)計在 2027 年實現(xiàn) 5nm eMRAM 的量產(chǎn)。
截至目前，三星電子已經(jīng)成功研發(fā)出 14nm eMRAM，8nm eMRAM 的研發(fā)工作也接近尾聲，公司仍計劃在 2027 年推出 5nm eMRAM。
此外，三星電子預(yù)測未來汽車領(lǐng)域?qū)?eMRAM 的需求將會持續(xù)增加，因為其產(chǎn)品能夠承受高達(dá) 150~160℃的溫度，完全符合汽車行業(yè)對半導(dǎo)體的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。
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