在數(shù)字化浪潮的推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體制造業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）最新發(fā)布的《世界晶圓廠預(yù)測》季度報(bào)告，為了滿足芯片需求持續(xù)增長的需求，全球半導(dǎo)體制造業(yè)的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在未來兩年實(shí)現(xiàn)顯著增長。

報(bào)告指出，到2024年，全球半導(dǎo)體制造業(yè)的產(chǎn)能將提高6%，而在接下來的2025年，產(chǎn)能增幅將達(dá)到7%，屆時(shí)將實(shí)現(xiàn)每月3370萬片晶圓（以8英寸當(dāng)量計(jì)算）的歷史最高水平。這一增長勢頭充分顯示出全球半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)于技術(shù)創(chuàng)新和市場需求的積極響應(yīng)。

其中，前沿產(chǎn)能的增長尤為引人注目。預(yù)計(jì)2024年，5納米及以下節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能將增長13%，主要得益于數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練、推理和前沿設(shè)備中生成式人工智能（AI）的廣泛應(yīng)用。為了進(jìn)一步提高處理能效，包括英特爾、三星和臺(tái)積電在內(nèi)的芯片制造巨頭已經(jīng)開始著手研發(fā)并準(zhǔn)備生產(chǎn)2納米全柵極（GAA）芯片。這一技術(shù)突破預(yù)計(jì)將使2025年的前沿總產(chǎn)能增長17%，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來更大的發(fā)展空間。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“從云計(jì)算到邊緣設(shè)備，人工智能處理的普及正在推動(dòng)高性能芯片的開發(fā)競賽，并推動(dòng)全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的強(qiáng)勁擴(kuò)張。這創(chuàng)造了一個(gè)良性循環(huán)：人工智能將推動(dòng)半導(dǎo)體內(nèi)容在各種應(yīng)用領(lǐng)域的增長，而這反過來又會(huì)鼓勵(lì)進(jìn)一步的投資?！?/p>

從地區(qū)角度看，中國大陸半導(dǎo)體制造業(yè)的崛起成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。預(yù)計(jì)未來兩年，中國大陸芯片制造商的產(chǎn)能將保持兩位數(shù)增長。繼2024年增長15%后，2025年將繼續(xù)增長14%，接近行業(yè)總產(chǎn)能的三分之一。這一增長趨勢得益于主要晶圓代工供應(yīng)商如華虹集團(tuán)、力晶、西安集成、中芯國際和DRAM制造商CXMT等的大力投資。盡管存在超額增長的潛在風(fēng)險(xiǎn)，但中國大陸仍在積極投資擴(kuò)大產(chǎn)能，以減輕近期出口管制的影響。

與此同時(shí)，其他主要芯片制造地區(qū)的產(chǎn)能增長相對(duì)平穩(wěn)。預(yù)計(jì)2025年，中國臺(tái)灣的產(chǎn)能將達(dá)到580萬片wpm，增長率為4%，位居第二；韓國預(yù)計(jì)明年將位居第三，在2024年首次突破500萬wpm大關(guān)后，產(chǎn)能將擴(kuò)大7%，達(dá)到540萬wpm。而日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力也將實(shí)現(xiàn)不同程度的增長。

在產(chǎn)品類型方面，晶圓代工和HBM（高帶寬內(nèi)存）領(lǐng)域?qū)⒂瓉懋a(chǎn)能擴(kuò)張。隨著英特爾建立代工業(yè)務(wù)和中國產(chǎn)能的擴(kuò)大，代工領(lǐng)域的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2024年和2025年分別增長11%和10%，到2026年達(dá)到1270萬wpm。同時(shí)，為滿足人工智能服務(wù)器對(duì)更快處理器不斷增長的需求，HBM得到迅速采用，推動(dòng)了內(nèi)存領(lǐng)域前所未有的產(chǎn)能增長。預(yù)計(jì)2024年和2025年DRAM容量都將增長9%。

相比之下，3D NAND市場復(fù)蘇依然緩慢，預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)產(chǎn)能增長有限。然而，隨著人工智能向邊緣設(shè)備的擴(kuò)展，主流智能手機(jī)的DRAM容量預(yù)計(jì)將從8GB增加到12GB，而使用人工智能助手的筆記本電腦將至少需要16GB的DRAM。這一趨勢將對(duì)DRAM市場帶來新的需求增長機(jī)遇。