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紫光國芯攜存儲系列產(chǎn)品出席2024慕尼黑上海電子展

西安紫光國芯半導(dǎo)體 ? 來源:西安紫光國芯半導(dǎo)體 ? 2024-07-11 11:28 ? 次閱讀
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2024年7月8日至10日,西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱:紫光國芯,證券代碼:874451)精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等重點領(lǐng)域,為客戶提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會現(xiàn)場重點展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣(UniWhen)和SSD產(chǎn)品系列。

128Mb PSRAM

新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列

DRAMKGD展區(qū)首次展示了紫光國芯128Mb PSRAM產(chǎn)品——采用先進的制程技術(shù),在進一步優(yōu)化芯片尺寸的同時提升了主要性能指標。與傳統(tǒng)的SRAM相比,PSRAM在保持存儲容量同時,提供了更高速(800Mbps)的性能支持,這使得它在IOT、智能穿戴、衛(wèi)星通訊和蜂窩通訊等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,并已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

作為國內(nèi)領(lǐng)先的專業(yè)DRAM KGD解決方案提供商,紫光國芯為了滿足客戶對高品質(zhì)產(chǎn)品、長期技術(shù)支持、供貨保證和低成本等諸多要求,打造了高品質(zhì)利基型DRAM存儲器完整解決方案,可為客戶提供包括SDR、DDR至LPDDR4 DRAM在內(nèi)的完整的DRAM KGD產(chǎn)品組合,涵蓋32Mb~4Gb的全容量支持。

聚焦車規(guī)產(chǎn)品應(yīng)用

適配產(chǎn)業(yè)升級

在DRAM顆粒展區(qū),重點展示了基于不同應(yīng)用場景的多款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高可靠車規(guī)級顆粒產(chǎn)品,包括LPDDR4x、LPDDR4、DDR3及SDR等。

全新一代LPDDR4(x)產(chǎn)品——在速率及功耗表現(xiàn)方面與上一代產(chǎn)品相比獲得顯著提升,產(chǎn)品當前處于客戶送樣階段,目前已與多家Tier1/主機廠達成送測意向。

高速率:通過高速率接口設(shè)計,優(yōu)化芯片速率,從上一代的3200Mbps提升至4266Mbps,速率提升33%;

低功耗:支持LPDDR4和LPDDR4X標準,采用先進的低功耗設(shè)計,通過降低供電電壓和改進電路結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了更高的能效,比上一代產(chǎn)品靜態(tài)功耗下降超10%

紫光國芯車規(guī)級系列產(chǎn)品均通過AEC-Q100 Grade 2/3車規(guī)認證,廣泛應(yīng)用于T-Box、激光雷達、車載網(wǎng)關(guān)、VDC、液晶儀表、DMS、前視一體機等汽車電子領(lǐng)域,且已在智能駕駛、智能座艙等車輛控制領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量出貨,累計應(yīng)用車型達10款以上。

SeDRAM技術(shù)

超大帶寬、超低功耗片內(nèi)存儲解決方案

此次紫光國芯展出的SeDRAM技術(shù),通過Wafer-to-Wafer(WoW)3D堆疊,實現(xiàn)了數(shù)十TB的內(nèi)存訪問帶寬和數(shù)十GB的存儲容量,突破了傳統(tǒng)存儲方案的性能瓶頸,成為展會上的亮點之一。該技術(shù)采用金屬層垂直互連的方式,摒棄了HBM或DDR存儲方案中的PHY-PHY互連結(jié)構(gòu),從而大幅降低了訪存延遲和功耗,為人工智能、高性能計算等算力芯片提供高性能存儲解決方案。

SeDRAM可為用戶提供帶寬+容量”的差異化存儲組合方案。該方案采用標準IP化交付形式,完全兼容傳統(tǒng)的SoC設(shè)計流程,在幫助用戶縮短產(chǎn)品研發(fā)周期的同時,助力用戶的產(chǎn)品性能實現(xiàn)最大化提升。

過去5年,紫光國芯憑借其在堆疊嵌入式DRAM技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢,支持了二十余款產(chǎn)品的研發(fā)或量產(chǎn),處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)

容量及帶寬擴展技術(shù)賦能高性能服務(wù)器

紫光國芯在本次展會上亮相的行業(yè)領(lǐng)先的CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案,旨在滿足高性能服務(wù)器平臺在系統(tǒng)主存的容量和帶寬擴展以及內(nèi)存池化等方面的應(yīng)用需求。這一技術(shù)方案具有卓越的兼容性和可擴展性,已適配多款主流處理器,并支持多種存儲介質(zhì),滿足不同設(shè)備的容量需求和多樣化的硬件設(shè)計需求,為大數(shù)據(jù)處理、人工智能等應(yīng)用場景提供高性能的存儲解決方案。

通過與產(chǎn)業(yè)鏈上下游頭部企業(yè)的深度合作,紫光國芯的CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案在訪存延遲和帶寬等關(guān)鍵性能指標上均有出色的表現(xiàn)。

新一代DDR5模組產(chǎn)品

速度與帶寬的飛躍

新一代DDR5內(nèi)存PC模組和服務(wù)器模組產(chǎn)品——與DDR4相比,DDR5在數(shù)據(jù)傳輸速率、存儲容量、能耗控制以及總線效率等方面均有極大的提升。 新一代DDR5系列產(chǎn)品通過全面優(yōu)化各項性能指標,滿足了企業(yè)級應(yīng)用對高性能和穩(wěn)定性的嚴苛需求,為國產(chǎn)CPU平臺及英特爾最新的第5代至強可擴展處理器Emerald Rapids等提供了先進的內(nèi)存支持方案。

國潮存儲品牌云彣(UniWhen

國風(fēng)融合現(xiàn)代 科技喚醒新篇

作為紫光國芯旗下國潮存儲品牌云彣(UniWhen)的線下首秀,此次攜眾多明星產(chǎn)品系列全新亮相。品牌以品質(zhì)與性能雙優(yōu)為定位,融合傳統(tǒng)與潮流,致力于成為玩家信賴的國潮“芯”選。

墨云藏境系列-DDR5 RGB內(nèi)存條——用旗艦級的工藝和前沿科技,重新定義了性能與美學(xué)的融合藝術(shù)。墨云藏境系列精選高品質(zhì)顆粒,賦予內(nèi)存高達6800/7200/8000MT/S的超群頻率,以及16GB和24GB大容量套裝,完美適配Intel/AMD平臺,為高端玩家、超頻愛好者、內(nèi)容創(chuàng)作者提供了無與倫比的性能體驗。

神凝系列-DDR5馬甲條——以原廠純正顆粒為基,十層PCB精工細琢,鑄就了速度與穩(wěn)定性的完美平衡。6000/6400MT/S的雙頻率選擇,以及16GB的存儲套裝,展現(xiàn)出超凡脫俗的性能。神凝系列的廣泛平臺兼容性和一鍵超頻功能,為出色的性價比之選。搭配國潮云紋設(shè)計散熱馬甲,不僅在視覺上給人以美的享受,更在高負載場景下確保了穩(wěn)定運行,讓每一次計算都精準而高效。

全新SSD產(chǎn)品系列

打造存儲新生態(tài)

在數(shù)字化浪潮的推動下,存儲技術(shù)正成為創(chuàng)新與變革的重要引擎。面對日益增長和不斷演變的存儲需求,紫光國芯全新SSD產(chǎn)品,可滿足市場的多元化需求。此次展出的四大SSD產(chǎn)品系列,包括面向行業(yè)應(yīng)用的高端SSD產(chǎn)品「CTD700」、「BTD300」和「ATK110」,以及面向消費市場由旗下存儲品牌云彣(UniWhen)推出的國潮SSD產(chǎn)品「T5-新紀」

紫光囯芯SSD產(chǎn)品支持SATA Ⅲ、PCIe 3.0、PCIe 4.0在內(nèi)的多種傳輸協(xié)議;針對不同平臺設(shè)備,推出了2.5英寸與M.2 2280/2242三種不同形態(tài),為更多用戶提供高速存儲體驗。

紫光國芯與時俱進,不斷創(chuàng)新,在存儲技術(shù)領(lǐng)域深耕細作。產(chǎn)品線覆蓋從企業(yè)級到消費級的廣泛需求,持續(xù)為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、計算機、消費電子、通信、汽車、工業(yè)控制、醫(yī)療等多種行業(yè)和領(lǐng)域客戶提供完善的產(chǎn)品選擇和一站式的解決方案。

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原文標題:圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力

文章出處:【微信號:gh_fb990360bfee,微信公眾號:西安紫光國芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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