電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，鎧俠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb四級(jí)單元 (QLC) 存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣。這款2Tb QLC存儲(chǔ)器擁有業(yè)界最大容量，將存儲(chǔ)器容量提升到一個(gè)全新的水平，將推動(dòng)包括人工智能在內(nèi)的多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的增長(zhǎng)。



鎧俠的BiCS FLASH是一種三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)。鎧俠的TLC 3位/單元1Tb （128GB） BiCS FLASH為業(yè)界首創(chuàng)，在提升寫(xiě)入速度的同時(shí)也提高了擦寫(xiě)次數(shù)的可靠性。還提供采用4位/單元、四層存儲(chǔ)單元（QLC）技術(shù)的2Tb BiCS FLASH。

從BiCS FLASH技術(shù)架構(gòu)來(lái)看，先交替堆疊作為控制柵極的板狀電極(綠色板)和絕緣體，然后垂直于表面的大量孔都被一次性打開(kāi)（沖孔），接著，在板狀電極中打開(kāi)的孔的內(nèi)部填充(插入)電荷儲(chǔ)存膜(粉紅色部分)和柱狀電極(灰色柱狀結(jié)構(gòu))。在此條件下，板狀電極與柱狀電極的交點(diǎn)為一存儲(chǔ)單元。先堆疊板狀電極，然后開(kāi)孔從而一次形成所有層的存儲(chǔ)單元，以降低制造成本。

圖源：鎧俠官網(wǎng)

據(jù)此前介紹，基于鎧俠的BiCS FLASH技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.33 terabit（Tb）的業(yè)界最大的單芯片容量，而且其16芯片堆疊架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)2.66 terabyte（TB）的最大單一封裝容量。這一技術(shù)產(chǎn)品主要用于企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)、移動(dòng)設(shè)備、車(chē)載、工業(yè)和消費(fèi)等領(lǐng)域。

全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫(xiě)入能效比提高了約70%。

全新的QLC產(chǎn)品架構(gòu)可在單個(gè)存儲(chǔ)器封裝中堆疊16個(gè)芯片提供4TB容量，并采用更為緊湊的封裝設(shè)計(jì)，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。

除2Tb QLC之外，鎧俠還推出了1Tb QLC版本。相較于容量?jī)?yōu)化的2Tb QLC，1Tb QLC的順序?qū)懭胄阅苓€能再提升約30%，讀取延遲提升約15%。1Tb QLC更適用于高性能領(lǐng)域，包括客戶端SSD和移動(dòng)設(shè)備。

鎧俠表示，其最新的BiCS FLASH技術(shù)主要采用突破性的縮放和晶圓鍵合技術(shù)。通過(guò)專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的縱向和橫向縮放平衡。此外，鎧俠還開(kāi)發(fā)了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)，以提供更高的位密度和業(yè)界領(lǐng)先的接口速度（3.6Gbps）。

鎧俠于2007年首次提出BiCS 3D閃存技術(shù)，2015年8月首次推出32GB 48層TLC每單元3位BiCS FLASH。2017年6月首次引入QLC BiCS FLASH，64層BiCS3技術(shù)，2018年96層BiCS4，QLC BiCS FLASH單芯片容量達(dá)1.33Tb。2020年引入第5代112層BiCS FLASH。2022年第6代 BiCS為162層。

并且鎧俠跳過(guò)第7代，于2023年3月推出第8代 BiCS 3D NAND，堆疊218 層，接口速度3200MT/s。接下來(lái)還將開(kāi)發(fā)284層閃存。鎧俠首席技術(shù)官Hidefumi Miyajima近日披露，鎧俠計(jì)劃在2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層堆疊的3D NAND閃存。