實驗名稱：功率放大器在驅動非載流子注入micro-LED上的應用

研究方向：半導體器件，光電子器件，micro-LED

實驗內容：

1、制備了一種絕緣層為氧化鋁的非載流子注入micro-LED器件；

2、采用信號發(fā)生器產生交流信號，并通過安泰功率放大器放大輸出，驅動非載流子注入micro-LED。實現了非載流子注入micro-LED的寬電壓工作窗口。測試目的：采用交流高頻高壓電源驅動非載流子注入micro-LED，并記錄器件的光電特性。

測試設備：信號發(fā)生器、Aigtek ATA-61220放大器、示波器、光電倍增管

實驗過程：采用原子層沉積法在micro-LED上沉積不同厚度的氧化鋁絕緣層以制備非載流子注入micro-LED，并采用信號發(fā)生器+功率放大器放大輸出具有固定頻率幅度的交流高壓，在器件兩端施加由放大器放大后的電壓以驅動非載流子注入micro-LED使其產生電致發(fā)光。改變驅動電壓、頻率并利用雪崩光電倍增管，示波器等記錄器件的光電特性。

測試結果：展示了一種提高Micro-LED亮度穩(wěn)健性的工作模式，驗證了交流驅動Micro-LED在無載流子注入模式下的電致發(fā)光。通過改變交流電源的電壓、頻率，優(yōu)化介電層的厚度，實現了Micro-LED器件較寬的工作電壓窗口，即在某個電壓范圍內器件亮度基本保持不變。結果表明，在12MHz頻率驅動下，器件的電流趨于飽和，而增大電壓只會增加飽和電流的最大值；且具有15nm厚氧化鋁層的器件具有最大的工作電壓窗(約12v)以及在電壓波動下具有最強的亮度穩(wěn)健性。

ATA-61220寬帶放大器

輸出形式：差分輸出

帶寬（-3dB）：DC~21MHz

最大輸出電壓：60Vp-p（±30Vp）500mAp（DC~50Hz）

最大輸出功率：30Wp

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